從測試作業的精細程度和作業用人數量看，晶圓測試（CP）屬于“晶圓級”工藝，數千顆甚至數萬顆裸芯片高度集成于一張晶圓上，對測試作業的潔凈等級、作業的精細程度、大數據的分析能力等要求較高，因此技術實力較強的測試廠商通過精益生產能夠實現更好的效益，拉開與其他對手的差距。

圖：CP和FT測試流程

而芯片成品測試（FT）屬于“芯片級”工藝，芯片成品完成封裝之后，處于良好的保護狀態，物理尺寸體積也較晶圓狀態的裸芯片增加幾倍至數十倍，因此芯片成品測試對潔凈等級和作業精細程度的要求較晶圓測試低一個級別，測試作業工作量和人員用工量也更大。

從具體的測試工藝難點看，兩者擁有不同的技術難點和挑戰。在晶圓測試方面，受探針卡自身物理結構和電特性的限制，晶圓測試更容易受到干擾，高速信號的信號完整性控制的難度較高不好，在測試方案開發和量產測試過程中需要更精密的治具硬件和更高要求的環境條件，因此，晶圓測試需要高效率的測試，其測試項目以直流測試、低速功能測試為主，追求[敏感詞]的高同測，難點為在方案設計時需盡可能提高同測數、提高并測效率、保證一致性和穩定性、高同測的探針卡設計等方面。

在芯片成品測試方面，芯片成品測試一般是全模塊全覆蓋測試，其難點為：大電流項目的功耗控制、提高治具設計的熱量冗余；減少高速測試項目的信號反射、保證信號完整性；射頻測試項目設計的阻抗匹配、減少干擾；精確測量高精度測試項目等，上面都涉及到測試方法設計、治具設計、測試板設計、測試程序開發等方面的綜合性技術。

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