我們知道，在電路系統(tǒng)的各個(gè)子模塊進(jìn)行數(shù)據(jù)交換時(shí)可能會(huì)存在一些問題導(dǎo)致信號(hào)無法正常、高質(zhì)量地“流通”，例如有時(shí)電路子模塊各自的工作時(shí)序有偏差（如CPU與外設(shè)）或者各自的信號(hào)類型不一致（如傳感器檢測光信號(hào)）等，這時(shí)我們應(yīng)該考慮通過相應(yīng)的接口方式來很好地處理這個(gè)問題。 下面就電路設(shè)計(jì)中7個(gè)常用的接口類型的關(guān)鍵點(diǎn)……

今天說一款電壓型PWM控制器，那就是LM5025芯片，下面咱們看一下它的基本參數(shù)。 基本特性： 芯片內(nèi)置啟動(dòng)偏置調(diào)節(jié)器，具有可編程的低壓鎖定輸出功能（UVLO），電壓型驅(qū)動(dòng)器，5V參考電壓，具有可編程軟啟動(dòng)功能，具有熱……

TVS全稱是transient voltage suppressor，瞬態(tài)電壓抑制器，它是一種保護(hù)器件。TVS管也屬于二極管，只不過特性與二極管的有區(qū)別，它的工作原理與穩(wěn)壓二極管類似，也是利用反向擊穿穩(wěn)定電壓，但TVS管的響應(yīng)速度要快于穩(wěn)壓管。 當(dāng)電路中的TVS管受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以極高的速度（幾百皮秒）將兩級(jí)間的阻抗變?yōu)榈妥杩?，起到很好的浪涌功率吸收作用，同時(shí)也能使兩級(jí)之間的電壓保持在一個(gè)范圍內(nèi)，達(dá)到有效保護(hù)電路中其他元器件的免受浪涌脈沖的損壞。 TVS管和ZenerDiode兩

有些晶體管的尺寸超過500億個(gè)，這些晶體管比人類頭發(fā)絲的寬度還小1萬倍。它們是在巨大的超潔凈廠房地板上制作的，可達(dá)七層樓高，長度相當(dāng)于四個(gè)足球場。 微芯片在許多方面都是現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)的命脈。它們?yōu)殡娔X、智能手機(jī)、汽車、電器和其他許多電子產(chǎn)品提供動(dòng)力。但自疫情以來，世界對(duì)它們的需求激增，這也導(dǎo)致供應(yīng)鏈中斷，導(dǎo)致全……

FinFET試圖克服晶體管遇到的最糟糕類型的短溝道效應(yīng)，同時(shí)使芯片能夠以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的性能指標(biāo)。自從半導(dǎo)體取得突破以來，縱觀集成電路設(shè)計(jì)的歷史，摩爾定律——即一塊硅上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番，而且將一直保持不變。隨著代工廠開發(fā)越來越先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)以滿足消費(fèi)者的需求，當(dāng)今先進(jìn)處理器上的晶體管數(shù)量達(dá)到數(shù)百億。這與1970年代中期只有幾千個(gè)晶體管的處理器相去甚遠(yuǎn)，這在當(dāng)時(shí)是最先進(jìn)的。 推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵(GAA)

在傳統(tǒng)以及準(zhǔn)諧振反激形式應(yīng)用中，由于MOS導(dǎo)通時(shí)的電壓較高（基本都在150V以上），特別是高壓的輸入條件下，會(huì)有較高的開關(guān)損耗及DI/Dt造成的EMI干擾，影響系統(tǒng)效率及EMI特性。直到ZVS反激式電路的出現(xiàn)，很好的解決了這些痛點(diǎn)。 先從反激應(yīng)用電路開始分析，再轉(zhuǎn)到ZVS零電壓開關(guān)電路應(yīng)用一. 反激應(yīng)用中MOSF……

WLCSP（Wafer Level Chip Scale Packaging）是一種晶圓級(jí)芯片封裝方式，有別于傳統(tǒng)的芯片封裝方式（切割、封裝、測試，封裝后原始芯片數(shù)量會(huì)增加至少20%）。 整個(gè)晶圓封裝測試后，切割成單個(gè)IC顆粒，因此封裝體積與IC裸片原始尺寸相同。 WLCSP封裝方式不僅顯著減小了內(nèi)存模塊的尺寸，還滿足了移動(dòng)設(shè)備對(duì)體空間的高密度要求。 另一方面，在性能方面，也提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣群头€(wěn)定性。

集成（integration），是指將不同的單元匯聚到一起，并能實(shí)現(xiàn)其特定功能的過程，集成多指人類的活動(dòng)，而非自然的過程。而集成電路、系統(tǒng)集成是比較常見的名詞。 本文圍繞集成的尺度（Scale）和維度（Dimension）兩方面來剖析現(xiàn)代電子集成技術(shù)。推薦給大家。

1. 前言 隨著電動(dòng)汽車在市場上的顯著加速，品牌、細(xì)分市場和車型的差異也在不斷增加，最大限度地?cái)U(kuò)大電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)適用性就顯得及其重要。電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，如大批量生產(chǎn)的EMR3(第三代電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng))和目前正在開發(fā)的EMR4，在系統(tǒng)級(jí)采用了多標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化方法進(jìn)行設(shè)計(jì)。與上一代相比，EMR4提高了高達(dá)5%的效率……

開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。 與功率開關(guān)有關(guān)的損耗 ……

本文介紹了大型電動(dòng)汽車中，電機(jī)控制器IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)思路，闡述了IGBT模塊的特性、柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與保護(hù)，以及IGBT模塊在正常工作中的電流、電壓、溫度保護(hù)，并提供了相應(yīng)的設(shè)計(jì)原理和驗(yàn)證方案。 1. 引 言 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵……

Boost電路是一種開關(guān)直流升壓電路，它能夠使輸出電壓高于輸入電壓。在電子電路設(shè)計(jì)當(dāng)中算是一種較為常見的電路設(shè)計(jì)方式。本文將給大家介紹boost基本原理、電路參數(shù)設(shè)計(jì)。 首先我們需要知道： 電容阻礙電壓變化，通高頻，阻低頻，通交流，阻直流； 電感阻礙電流變化，通低頻，阻高頻，通直流，阻交流；