在生活中幾乎所有的電子產(chǎn)品和設(shè)備中都有電源管理芯片，根據(jù)前瞻研究院整理的數(shù)據(jù)來(lái)看，電源管理在消費(fèi)電子、通信設(shè)備、汽車(chē)等領(lǐng)域占比較高，目前的占比總份額已超過(guò)50%。

IC 在進(jìn)入市場(chǎng)之前可以經(jīng)歷數(shù)年的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證周期。 系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程團(tuán)隊(duì)在將 IC 開(kāi)發(fā)成系統(tǒng)之前對(duì)其進(jìn)行評(píng)估。 IC 宏模型可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在創(chuàng)建物理 PCB 之前了解、模擬并將這些設(shè)備實(shí)施到他們的系統(tǒng)中。

從全球的技術(shù)動(dòng)向來(lái)看，800V高壓是電動(dòng)汽車(chē)未來(lái)要走的必經(jīng)之路。但要知道，800V帶來(lái)的不只是更快的充電效率和更長(zhǎng)的續(xù)航里程，還有和400V系統(tǒng)相比，更嚴(yán)峻的絕緣和安全挑戰(zhàn)。今天我們就通過(guò)10個(gè)問(wèn)答Q&A的形式，來(lái)探討800V平臺(tái)下新能源汽車(chē)的絕緣設(shè)計(jì)問(wèn)題。 01 問(wèn) 800V平臺(tái)下，……

以ASML的光刻機(jī)為例，其主要由光源模組(Source)、光罩模組（Reticle）、聚光鏡(Optics)和晶圓模組（Wafer）四大模組組成。 圖1：ASML High NA光刻機(jī) 紫外光從光源模組(Source)生成之后，被導(dǎo)入到照明模組(illumination module……

01前言 工作中的電路板有許多發(fā)熱比較大的元器件，比如MOS管、LED、三極管，尤其在滿載的情況下更為嚴(yán)重，散熱通孔是眾所周知的一種通過(guò)電路板表面貼裝元件的散熱方法。 在結(jié)構(gòu)上，板上開(kāi)有一個(gè)通孔，如果該板是單層雙面板，則使銅箔連……

在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)，倘若沒(méi)有考慮應(yīng)用環(huán)境對(duì)電源隔離的要求，產(chǎn)品到了應(yīng)用時(shí)就會(huì)出現(xiàn)因設(shè)計(jì)方案的不當(dāng)導(dǎo)致的系統(tǒng)不穩(wěn)定，甚至出現(xiàn)高壓損壞后級(jí)負(fù)載的情況，以及出現(xiàn)危害人身財(cái)產(chǎn)安全的情況。因此產(chǎn)品設(shè)計(jì)是否需要隔離至關(guān)重要。 ……

2022-06-21 深圳 南山 , 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的工程類工業(yè)總線及電源完整性解決方案供應(yīng)商大印藍(lán)海發(fā)布新能源汽車(chē)充電樁CP通信濾波降噪模塊 伴隨我國(guó)新能源汽車(chē)?yán)谜哧懤m(xù)出臺(tái)，城市交通系統(tǒng)紛紛推出新能源公交車(chē)，加上工廠、倉(cāng)庫(kù)也逐步應(yīng)用新能源 AGV，充電樁的需求量日增月益。預(yù)計(jì) 2022年，我國(guó)將擁有分布式……

廣州鈞明歡樂(lè)世界對(duì)外營(yíng)業(yè)，由位于中山市的廣東金馬游樂(lè)股份有限公司(下稱“金馬游樂(lè)”)自主研發(fā)的、國(guó)產(chǎn)首臺(tái)運(yùn)用LSM電磁彈射技術(shù)的彈射式過(guò)山車(chē)“炫酷飛馳”在此正式亮相。這是國(guó)產(chǎn)第一臺(tái)運(yùn)用LSM電磁彈射技術(shù)的彈射式過(guò)山車(chē)。這也意味著金馬游樂(lè)成為全球第三家擁有相關(guān)核心技術(shù)的游樂(lè)企業(yè)，此舉打破了游樂(lè)行業(yè)運(yùn)用LSM電磁彈射技術(shù)的……

技術(shù)日新月異, 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)及制造工藝發(fā)展還沒(méi)有多少年,源起于日本的氧化鎵被譽(yù)為第四代半導(dǎo)體技術(shù)已開(kāi)始國(guó)內(nèi)市場(chǎng)發(fā)育. 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的β-Ga……

GaN 半導(dǎo)體具有高二維電子氣濃度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高的電子飽和速度等特點(diǎn)，在微波大功率器件應(yīng)用領(lǐng)域有較第一、二代半導(dǎo)體材料顯著的性能優(yōu)勢(shì)，其輸出功率密度可以幾倍甚至十幾倍于 GaAs 微波功率 FET，滿足新一代電子產(chǎn)品對(duì)更大功率、更高頻率、更小體積微波功率器件的要求，被廣泛應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)、通信系統(tǒng)等軍民領(lǐng)域。

一、阻抗測(cè)試基本概念 阻抗定義： 阻抗是元器件或電路對(duì)周期的交流信號(hào)的總的反作用。 AC 交流測(cè)試信號(hào) (幅度和頻率)。 ……

概述閘級(jí)功率放大器（Gate Driver），也稱柵（閘）級(jí)驅(qū)動(dòng)器，可以讓控制集成電路產(chǎn)生的小功率訊號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)功率晶體（例如IGBT或是功率級(jí)MOSFET）的閘極。柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器可能是附在功率晶體上甚至集成進(jìn)MCU內(nèi)部，也有可能是獨(dú)立的元件。柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器會(huì)包括位準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器以及放大器電路。 目的 MOSFET和……