Slkor薩科微穩(wěn)壓二極管BZT52C5V1具有500mW最大功耗和5.1V穩(wěn)定電壓值，該器件穩(wěn)定電壓工作范圍為4.8V至5.4V，反向漏電流為2.0uA。這款穩(wěn)壓二極管可以確保通信設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確傳輸，滿足大部分電路對(duì)穩(wěn)定性和可靠性的高要求，在通信設(shè)備中發(fā)揮著不可替代的作用。

薩科微slkor（www.slkoric.com）總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生說，社會(huì)進(jìn)步是由一輪又一輪技術(shù)進(jìn)步（即生產(chǎn)力的發(fā)展），來促進(jìn)生產(chǎn)關(guān)系變革和推動(dòng)社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的，借力國(guó)內(nèi)的大市場(chǎng)和經(jīng)濟(jì)內(nèi)循環(huán)，對(duì)于電子元器件電子信息產(chǎn)品來說，是“國(guó)產(chǎn)替代”是好機(jī)會(huì)。我們中華民族要重新崛起完成偉大的復(fù)興，就是要借勢(shì)即將到來新一輪的”康波周期……

Slkor薩科微穩(wěn)壓二極管MMSZ5242B具有500mW最大功耗和18V穩(wěn)定電壓值，該器件穩(wěn)定電壓工作范圍為17.1V 至 18.9V，反向漏電流為0.1uA。這款穩(wěn)壓二極管以其高效、穩(wěn)定的工作性能，在手機(jī)電源管理中發(fā)揮著重要作用，為手機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行提供了有力保障。

Slkor薩科微穩(wěn)壓二極管BZT52C15具有500mW最大功耗和15V穩(wěn)定電壓值，該器件穩(wěn)定電壓工作范圍為13.8V至15.6V，反向漏電流為0.1uA。這款穩(wěn)壓二極管可以確保通信設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確傳輸，滿足大部分電路對(duì)穩(wěn)定性和可靠性的高要求，在通信設(shè)備中發(fā)揮著不可替代的作用。

薩科微slkor（www.slkoric.com）總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生說，社會(huì)進(jìn)步是由一輪又一輪技術(shù)進(jìn)步（即生產(chǎn)力的發(fā)展），來促進(jìn)生產(chǎn)關(guān)系變革和推動(dòng)社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的，借力國(guó)內(nèi)的大市場(chǎng)和經(jīng)濟(jì)內(nèi)循環(huán)，對(duì)于電子元器件電子信息產(chǎn)品來說，是“國(guó)產(chǎn)替代”是好機(jī)會(huì)。我們中華民族要重新崛起完成偉大的復(fù)興，就是要借勢(shì)即將到來新一輪的”康波周期……

隨著物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的迅猛發(fā)展，設(shè)備之間的通信需求變得越來越復(fù)雜。在這一背景下，I3C（MIPI I3C）協(xié)議應(yīng)運(yùn)而生，為連接多種傳感器和外設(shè)提供了一種高效而靈活的解決方案。本文將詳細(xì)介紹I3C協(xié)議，并通過對(duì)比I2C和SPI通信，展示其優(yōu)勢(shì)。

Slkor中壓MOS管2N7002E是一款具有60V漏源電壓和300mA連續(xù)漏極電流的N溝道MOSFET，以其較低的導(dǎo)通電阻（3Ω@10V,500mA）和較低的閾值電壓（2.5V@250μA）而著稱。此中壓MOS管在電源管理中的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在其高效、可靠且靈活的電流與電壓處理能力上。它能夠有效地提高電源管理系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。

Slkor薩科微穩(wěn)壓二極管MMSZ5242B具有500mW最大功耗和12V穩(wěn)定電壓值，該器件穩(wěn)定電壓工作范圍為11.4V 至 12.6V，反向漏電流為2uA。這款穩(wěn)壓二極管以其高效、穩(wěn)定的工作性能，在手機(jī)電源管理中發(fā)揮著重要作用，為手機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行提供了有力保障。

Slkor薩科微BSS138是一款具有50V漏源電壓和220mA連續(xù)漏極電流的N溝道MOS管，以其較低的導(dǎo)通電阻（3.5Ω@10V,220mA）和較低的閾值電壓（1.6V@1mA）而著稱。該MOS管在LED驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用具有諸多優(yōu)勢(shì)，如高效率、低功耗、高可靠性等。通過合理的設(shè)計(jì)和選擇，可以充分發(fā)揮其在LED驅(qū)動(dòng)電路中的作用，為現(xiàn)代電子設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的照明解決方案。

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；（因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因?yàn)镸OS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì)導(dǎo)致Vds很大）

2023年10月5日，OKI和Shin-Etsu Chemical兩家日本公司在一場(chǎng)聯(lián)合新聞發(fā)布會(huì)上宣布了一項(xiàng)引人注目的技術(shù)突破。他們成功開發(fā)出一種新技術(shù)，可以以比傳統(tǒng)技術(shù)低90％的成本制造"垂直GaN"功率器件。這一突破性的發(fā)展引起了全球范圍內(nèi)對(duì)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的關(guān)注，并對(duì)實(shí)現(xiàn)節(jié)能和低碳社會(huì)產(chǎn)生了積極的影響……

slkor薩科微SL60N06是一款具有60V漏源電壓和60A連續(xù)漏極電流的N溝道MOS管，以其低導(dǎo)通電阻（11.5mΩ@10V,30A）和較低的閾值電壓（4V@250μA）而著稱。隨著微波技術(shù)的快速發(fā)展，高頻電路在雷達(dá)、通信、衛(wèi)星導(dǎo)航等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些特性使得 SL60N06作為高頻電路中的關(guān)鍵元件 ，因其優(yōu)良的性能和可靠性而備受關(guān)注。