開(kāi)欄的話：隨著集成電路晶體管密度越來(lái)越接近物理極限，單純依靠提高制程來(lái)提升集成電路性能變得越來(lái)越困難。圍繞如何發(fā)展“后摩爾時(shí)代”的集成電路產(chǎn)業(yè)，全球都在積極尋找新技術(shù)、新方法和新路徑。為進(jìn)一步推動(dòng)中國(guó)集成電路在后摩爾時(shí)代的技術(shù)創(chuàng)新、加速產(chǎn)業(yè)發(fā)展，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)聯(lián)合《中國(guó)電子報(bào)》推出“后摩爾時(shí)代技術(shù)演進(jìn)院士談”系列報(bào)道，將采訪相關(guān)領(lǐng)域院士，探討后摩爾時(shí)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向。

當(dāng)前，國(guó)內(nèi)外都在部署寬禁帶半導(dǎo)體（又稱(chēng)第三代半導(dǎo)體）器件和材料產(chǎn)業(yè)。寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)究竟為何贏得了市場(chǎng)青睞？在應(yīng)用過(guò)程中又具有怎樣的特點(diǎn)、難點(diǎn)、痛點(diǎn)？相關(guān)產(chǎn)業(yè)未來(lái)又該向什么方向發(fā)展？《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪了中國(guó)科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)教授郝躍。圍繞寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)前存在的問(wèn)題、產(chǎn)業(yè)發(fā)展難點(diǎn)和未來(lái)發(fā)展方向，郝躍分享了他的觀點(diǎn)。

記 者：首先想請(qǐng)您對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體做個(gè)簡(jiǎn)單的介紹，這類(lèi)半導(dǎo)體具有哪些特點(diǎn)，在產(chǎn)業(yè)上有怎樣的應(yīng)用呢？

郝 躍：寬禁帶半導(dǎo)體最明顯的特征，便是它的半導(dǎo)體禁帶寬度寬，從材料的性質(zhì)方面更接近于絕緣體。因此，以氮化鎵和碳化硅為代表的這類(lèi)寬禁帶半導(dǎo)體材料，擁有高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高的工作溫度、低的器件導(dǎo)通電阻、高的電子密度等優(yōu)勢(shì)，目前寬禁帶半導(dǎo)體主要在三個(gè)領(lǐng)域有強(qiáng)大的市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

[敏感詞]是射頻器件，即微波毫米波器件。相比于砷化鎵和硅等半導(dǎo)體材料，在微波毫米波段的寬禁帶半導(dǎo)體器件工作效率和輸出功率明顯高，適合做射頻功率器件。民用射頻器件主要用在移動(dòng)通信方面，包括現(xiàn)在的4G、5G和未來(lái)的6G通信。例如，國(guó)內(nèi)新裝的4G和5G移動(dòng)通信的基站幾乎全用氮化鎵器件。尤其是5G基站采用MIMO收發(fā)體制，每個(gè)基站64路收發(fā)，耗電量是4G基站的3倍以上，而且基站的密集度還要高于4G基站，不用高效率的氮化鎵器件幾乎是不可能的。未來(lái)6G通信頻率更高、基站數(shù)更多，矛盾將更加突出。

第二是大功率電力電子器件?？斐溲b置、輸變電系統(tǒng)、軌道交通、電動(dòng)汽車(chē)和充電樁等都需要大功率、高效率的電力電子器件。無(wú)疑寬禁帶半導(dǎo)體，尤其是碳化硅、氮化鎵具有比其他半導(dǎo)體材料更為明顯的優(yōu)勢(shì)。

第三是光電器件。寬禁帶半導(dǎo)體尤其在短波長(zhǎng)光電器件方面有很明顯的優(yōu)勢(shì)。例如藍(lán)光，現(xiàn)在所有的半導(dǎo)體照明已經(jīng)采用了氮化鎵。在紫光、紫外光甚至在黃光、綠光等方面都可以直接用氮化物半導(dǎo)體作為材料。

當(dāng)然，還有其他應(yīng)用領(lǐng)域，例如探測(cè)器、傳感器等方面，應(yīng)用十分廣闊。

記 者：從數(shù)據(jù)來(lái)看，自2017年至今，寬禁帶半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)出非常明顯的上升趨勢(shì)。在您看來(lái)，寬禁帶半導(dǎo)體是否有希望成為后摩爾時(shí)代的顛覆性技術(shù)，又會(huì)在多大程度上替代硅材料呢？

郝 躍：后摩爾時(shí)代是指硅集成電路芯片在集成度、功耗等方面面臨較大的挑戰(zhàn)，使摩爾定理按芯片集成度每18個(gè)月翻一翻的規(guī)律有所變慢，于是尋求新的解決方案，其中包括了硅的三維集成電路和系統(tǒng)芯片等新的方案。系統(tǒng)芯片也叫做More than Moore，即超越摩爾定律，指的是將硅的集成電路不斷地拓展到與其他材料或應(yīng)用領(lǐng)域融合，不斷開(kāi)辟新的應(yīng)用市場(chǎng)。 

我認(rèn)為硅集成電路跟其他類(lèi)型的半導(dǎo)體，例如化合物半導(dǎo)體與硅器件高度結(jié)合，在硅襯底上生長(zhǎng)化合物，這是后摩爾時(shí)代的一個(gè)非常有意義、非常有發(fā)展?jié)摿Φ念I(lǐng)域。也是未來(lái)寬禁帶半導(dǎo)體器件和集成電路發(fā)展的重要方向。

但是，寬禁帶半導(dǎo)體材料要替代硅是不可能的。集成電路當(dāng)前90%以上使用的依然是硅基半導(dǎo)體，還有太陽(yáng)能電池等，主要用的都是硅材料。寬禁帶半導(dǎo)體器件和集成電路只在全球的半導(dǎo)體市場(chǎng)中占很小的份額，主要用在大功率射頻器件、電力電子器件和短波長(zhǎng)光電器件中。硅現(xiàn)在還是半導(dǎo)體材料的主流。因?yàn)楣璨牧虾茈y發(fā)光，也很難在高頻下提高輸出功率，寬禁帶半導(dǎo)體才有了獨(dú)立的發(fā)展空間和巨大的應(yīng)用市場(chǎng)。

記 者：我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件在向產(chǎn)業(yè)推廣的過(guò)程中還存在哪些難點(diǎn)，出現(xiàn)這些難點(diǎn)的原因是什么，該如何解決？

郝 躍：當(dāng)前，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨“卡脖子”問(wèn)題，主要卡在關(guān)鍵設(shè)備和材料方面。但在寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備方面，目前大多數(shù)領(lǐng)域我們都實(shí)現(xiàn)了本土化，從材料生長(zhǎng)、器件和電路工藝到測(cè)試封裝設(shè)備，國(guó)內(nèi)基本能夠滿足需求。唯獨(dú)光刻機(jī)仍然沒(méi)有解決。其實(shí)，像氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體所需要的光刻機(jī)工藝制程并不需要十分先進(jìn)，光刻精度90納米就夠了。在國(guó)家相關(guān)政策的支持下，這個(gè)技術(shù)我們是可以實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)前已經(jīng)研制成功的光刻機(jī)，應(yīng)當(dāng)盡快實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的量產(chǎn)，這方面我們還需努力。我們能做到做好的能夠變成產(chǎn)業(yè)化的東西，一定要把它做到能用。

記 者：有的廠商表示當(dāng)前在很多[敏感詞]領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)還不能滿足要求（例如器件效率問(wèn)題），原因何在？如何解決這些問(wèn)題？

郝 躍：高熱導(dǎo)率、損耗低，這是寬禁帶半導(dǎo)體固有的優(yōu)勢(shì)，問(wèn)題是我們?cè)诋a(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中沒(méi)能充分發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)。例如氮化鎵在4GHz頻率100W輸出功率，器件效率可以達(dá)到70%以上。而對(duì)其他材料來(lái)講，能達(dá)到50%就不錯(cuò)了，高效率是材料性質(zhì)決定的。無(wú)論是氮化鎵還是碳化硅，寬禁帶半導(dǎo)體的效率都是很高的。但是，在后續(xù)器件應(yīng)用過(guò)程中，是否能保證每一步都保持材料的低損耗是十分重要的問(wèn)題。

舉例來(lái)說(shuō)，在碳化硅器件制作完成后的封裝環(huán)節(jié)，目前我們的器件封裝基本沒(méi)能按照器件的特點(diǎn)和應(yīng)有方式來(lái)做，仍采用了硅的大功率器件方式封裝，這樣一來(lái)就加大了寬禁帶半導(dǎo)體的損耗，高效率、低損耗被這么封裝，效果基本沒(méi)有了。這只是一個(gè)例子，我認(rèn)為，還有很多技術(shù)推廣應(yīng)用方面的工作可以開(kāi)展。

記 者：如果寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)一步普及，能夠滿足對(duì)電子器件高性能、耐高溫、長(zhǎng)使用壽命的高端要求嗎？

郝 躍：我認(rèn)為這完全能夠解決。因?yàn)樵趯捊麕О雽?dǎo)體方面，我們國(guó)家器件的研制技術(shù)和指標(biāo)是與國(guó)際基本同步的，甚至有些指標(biāo)是領(lǐng)先的。問(wèn)題在于，這些技術(shù)如何從研發(fā)環(huán)節(jié)快速轉(zhuǎn)換到生產(chǎn)環(huán)節(jié)。目前，國(guó)內(nèi)諸多的生產(chǎn)廠家自身是沒(méi)有研發(fā)能力的，基本是拿來(lái)主義。例如，我們西安電子科技大學(xué)的寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心，研發(fā)了不少高指標(biāo)的材料和器件技術(shù)。推廣出去之后，開(kāi)始廠家們能把器件做出來(lái)，但若要在這個(gè)基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的創(chuàng)新，就有困難了。我們國(guó)家提出企業(yè)是創(chuàng)新的主體，企業(yè)如果只是拿來(lái)卻不創(chuàng)新，再好的技術(shù)也不能持續(xù)轉(zhuǎn)換成生產(chǎn)力。目前，很多企業(yè)在研發(fā)方面的投入十分有限，主要的研發(fā)投入還是依靠國(guó)家。

對(duì)比看國(guó)際領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)，英特爾一年的研發(fā)費(fèi)用大概在100億美元以上。我國(guó)的企業(yè)要提高創(chuàng)新能力，也要在如何加大研發(fā)資金投入上想辦法。

記 者：據(jù)了解，學(xué)校和研究所主要是以論文發(fā)表為評(píng)判指標(biāo)的，這種評(píng)判體系可能會(huì)使高校與產(chǎn)業(yè)之間的合作很難密切。在校企聯(lián)合中，校方和企業(yè)應(yīng)該分別扮演怎樣的角色呢？

郝 躍：高等學(xué)校和國(guó)立研究所的研究肯定是要瞄準(zhǔn)世界科技前沿的，這個(gè)毫無(wú)疑問(wèn)。高校和研究所的任務(wù)之一，還是探索規(guī)律性的東西，不斷追求新的東西。不光中國(guó)高校如此，全世界高校都是如此。所以重視發(fā)表論文，尤其是在學(xué)術(shù)會(huì)議和學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文，我認(rèn)為這是對(duì)的。廣大科技工作者要堅(jiān)持面向世界科技前沿，科學(xué)家的使命就是要追求更高的目標(biāo)。

高校的科研成果是不是應(yīng)該迅速地轉(zhuǎn)換成現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)力？我認(rèn)為當(dāng)然是這樣的。但是如何保證高校的研究成果能夠轉(zhuǎn)換成現(xiàn)實(shí)的生產(chǎn)力？現(xiàn)在的一個(gè)趨勢(shì)是，教授們直接去辦公司，我覺(jué)得這也值得商榷。要求一個(gè)教授既能夠面向科技前沿，又能夠面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)，這是很困難的。

那么如何解決好這組矛盾？我認(rèn)為，依靠產(chǎn)學(xué)研結(jié)合提升企業(yè)自身的研發(fā)能力是解決問(wèn)題的關(guān)鍵。所以，如何實(shí)現(xiàn)把企業(yè)作為創(chuàng)新的主體，這是應(yīng)該共同好好發(fā)力的事情。

記 者：一些國(guó)際大企業(yè)，如科銳、英飛凌等，他們的技術(shù)基本上覆蓋了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈，從襯底、器件到應(yīng)用做到了全覆蓋。國(guó)內(nèi)企業(yè)若是去和這類(lèi)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，想要在高端領(lǐng)域形成競(jìng)爭(zhēng)力，應(yīng)如何去做？

郝 躍：科銳公司一開(kāi)始就是專(zhuān)門(mén)做碳化硅半導(dǎo)體材料的公司，完完全全做材料。材料慢慢做大了以后，它才開(kāi)始做器件，做垂直型的大功率藍(lán)光LED，然后開(kāi)始做電子器件。英飛凌是一直做器件的，不做材料。他們都是在各自擅長(zhǎng)的領(lǐng)域做到世界老大后，才逐步開(kāi)始往產(chǎn)業(yè)鏈上下游發(fā)展的。

所以對(duì)于我們企業(yè)而言，我的建議是先把我們能做的東西做好，做到[敏感詞]，做到無(wú)可挑剔。一個(gè)企業(yè)不要一開(kāi)始就考慮產(chǎn)業(yè)鏈的問(wèn)題，選擇一個(gè)領(lǐng)域，扎扎實(shí)實(shí)地把它做到[敏感詞]，然后再去考慮往上游和下游拓展。一開(kāi)始從材料到器件都能做到一流，那是不可能的。所以企業(yè)定位是什么，應(yīng)該要先搞清楚。 

記 者：氮化鎵、碳化硅已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，有哪些是面向未來(lái)的材料？

郝 躍：我認(rèn)為最有可能的是氧化鎵材料，它的禁帶寬度比氮化鎵和碳化硅更寬，達(dá)到了4.6~4.8電子伏特。我們目前的研究表明，這類(lèi)材料是有希望的。

在未來(lái)10年左右，氧化鎵器件有可能成為有競(jìng)爭(zhēng)力的電力電子器件，會(huì)直接與碳化硅器件競(jìng)爭(zhēng)，這就如同今天碳化硅和硅的大功率器件情形一樣。

氧化鎵目前還不行，這要看后續(xù)的研究進(jìn)展。另外，金剛石材料的禁帶寬度是5.4電子伏特，對(duì)這種材料和器件，國(guó)內(nèi)的研究基礎(chǔ)是很好的，但這種材料還存在很多技術(shù)難點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)化難度比較大，這要看未來(lái)10年在技術(shù)上會(huì)有什么樣的突破?？梢哉f(shuō)，我們一直在不懈努力。 

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