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發布時間:2024-01-05作者來源:薩科微瀏覽:1141
中國大陸在世界五大知識產權局(IP5)申請的半導體專利數量急劇上升,從2003-2007年的14%猛增至2018-2022年的71.7%。這一增長趨勢反映了中國大陸正通過大量專利申請來推動技術質變,搶占半導體技術的制高點。作為近年發展迅速的半導體公司之一,薩科微半導體緊跟國家發展,通過其豐富的產品線和持續的技術創新。薩科微已經申請了一百多個發明專利,產品型號超過2000種,服務全球超過一萬家客戶。公司的產品覆蓋了二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等多個系列。近年來,薩科微不斷推出新產品,如霍爾元件、模擬器件等,以滿足不斷變化的市場需求。特別是在傳感器和Risc-v單片機等領域,薩科微加大了技術研發和創新投入,為中國大陸的半導體產業賦予更多的競爭力。
薩科微 碳化硅專家
當我們談到電子元件時,光耦合器是一個非常有用的器件,在現代社會,光耦合器是一種常用的電子元件,用于實現光與電信號之間的隔離和傳輸。它具有體積小、壽命長、無觸點,抗干擾能力強、輸入端和輸出端之間電氣隔離、信號單向傳輸等優點,在電路上獲得廣泛的應用。今天要介紹的是薩科微slkor光耦6N135S,其基本結構如下圖的所示:
光耦合器由發射器和接收器兩部分組成。發射器通常使用發光二極管(LED),而接收器則使用光敏三極管。當輸入發光二極管的光線足以使光敏三極管導通時,輸出回路即產生回路電流,這個回路電流通常稱為集電極電流Ic。在6N135S中,其集電極電流IC(mA)為50mA。這種高電流輸出使得6N135S成為處理大量數據的理想選擇,可以用于通信設備、醫療儀器還是工業控制系統等領域。
除了高電流輸出外,6N135S還具有其他優秀的性能參數。例如,其集電-發射極電壓(VCEO)為30V,能夠承受高電壓信號,保證信號傳輸的可靠性。同時,它的反向電壓(VR)為5V,能夠有效地保護電路免受不良電壓的影響,提高整個系統的穩定性。此外,該元器件的發射器電流(IF)為25mA,采用SMD-8封裝形式,易于安裝,為制造商提供了便利。
并且,6N135S具有高達5000 VRMS的高隔離性能。這意味著該元件可以安全地隔離高達5000伏特的電壓,確保光和電信號之間無電氣聯系。在許多應用場景下,高隔離性能是十分關鍵的,如醫療設備、工業控制系統等領域。其次,6N135S采用直流輸入和晶體管輸出。這種設計使得其具有更快的響應速度、更高的精度和更好的線性度。響應速度的提升可以使信號傳輸更加迅速,提高系統的實時性和響應能力。而高精度和良好的線性度則能夠確保信號的準確性和穩定性。
6N135S是一款高性能的光耦合器,具備多種應用場景。無論是在線路接收器、電信設備、CMOS-LSTTL-TTL輸出接口、寬帶寬模擬耦合、脈沖變壓器更換還是計算機外圍接口等領域,都能夠提供高效、可靠的信號傳輸支持。6N135S的高隔離性能和優質設計為各種電子系統提供了穩定、可靠的信號傳輸保障。
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