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發布時間:2022-03-18作者來源:薩科微瀏覽:2234
如果有人跟你說:“嗨,我做的芯片實現了100%自主可控!”等等,你先不急著崇拜(相信)他,請看完此文再說...
首先,什么叫自主可控,最直觀的理解就是當別人“卡脖子”的時候不會被卡住。 集成電路產業通常被分為芯片設計、芯片制造、封裝測試三大領域,參看下圖:
01
芯 片 設 計
1.1 EDA
EDA(Electronic Design Automation)電子設計自動化,常指代用于電子設計的軟件。
曾經有人跟我說:“EDA有啥呀,不就是個工具嘛?”是啊,確實就是個工具,可是沒這個工具,你啥也設計不了??!
現在的大規模集成電路在芝麻粒大小的1平方毫米內可以集成1億只以上的晶體管,這些晶體管之間的連接網絡更是多達數億個。當今主流的SoC芯片,其晶體管數量已經超過百億量級。如果沒有精準的,功能強大的EDA工具,怎么設計呢?
EDA是芯片設計的必備工具,目前,Synopsys、Cadence和Mentor(Siemens EDA)占據著超過90%以上的市場份額。在10納米以下的高端芯片設計上,其占有率甚至高達100%。也就是說,現在研發一款10nm以下的芯片,沒有以上三家的EDA工具幾乎是不可能實現的。
下表所示是目前芯片設計中主流的EDA工具:
芯片設計分為設計、仿真、驗證等環節,對應的EDA工具分為設計工具、仿真工具、驗證工具等。 設計工具解決的是模型的構建,也就是從0到1(從無到有)的問題,仿真和驗證工具解決模型的確認,也就是1是1還是0.9或者1.1的問題。因此,從EDA開發的角度,設計工具的開發難度更大。 此外,設計規模越大,工藝節點要求越高,EDA工具的開發難度也越大。 國產EDA工具目前在一些仿真驗證點工具上取得一些成績,在模擬電路設計方面也初步具備了全流程工具,但在大規模集成電路設計上和三大廠商還有很大的差距,尤其在高端數字芯片設計流程上基本還是空白。
1.2 IP
下表為目前全球前10大IP提供商,可以看到中國有兩家入圍前十,但是兩家市場份額加起來也僅有3%,而ARM一家就占據了40%以上的市場份額,美國的企業則占據了30%的市場份額,如果ARM被英偉達收購,基本上IP市場就是美國的天下了。此外我們也發現,全球[敏感詞]的兩家EDA公司Synopsys和Cadence,在IP領域也同樣占據的第二、第三的位置。
下圖所示為IP的種類,其中處理器占51%,接口IP占22.1%,數字類占8.1%,其他占18.8%,處理器類ARM一家獨大,在接口類IP中,Synopsys是業界領導者。
我們需要考慮的是,在設計的芯片中那些IP是自主設計的,那些是外購的,這些外購的IP是否存在不可控因素?如果你設計的SoC僅僅是把別人的IP打包整合,那自主可控性就要大打折扣了。
下面,我們以華為麒麟980為例,了解一下芯片研發中的IP使用情況。
麒麟980芯片集成的主要部件有CPU、GPU(俗稱顯卡)、ISP(處理拍照數據)、NPU(人工智能引擎)和基帶(負責通信)。
根據華為官方資料,ISP是華為自研,NPU是華為和寒武紀合作的成果,至于CPU(Cortex-A76)和GPU(Mali-G76)則是華為向ARM公司購買的授權,包括指令集授權和內核授權。
如果沒有IP授權,還有沒有可能自研麒麟980芯片,目前看來,沒有 。
1.3 設計流程
芯片設計流程通??煞譃椋簲底諭C設計流程和模擬IC設計流程。
數字IC設計流程:芯片定義 → 邏輯設計 → 邏輯綜合 → 物理設計 → 物理驗證 → 版圖交付。
芯片定義(Specification)是指根據需求制定芯片的功能和性能指標,完成設計規格文檔。
邏輯設計(Logic Design)是指基于硬件描述語言在RTL(Register-Transfer Level)級實現邏輯設計,并通過邏輯驗證或者形式驗證等驗證功能正確。
邏輯綜合(Logic Synthesis)是指將RTL轉換成特定目標的門級網表,并優化網表延時、面積和功耗。
物理設計(Physical Design)是指將門級網表根據約束布局、布線并最終生成版圖的過程,其中又包含:數據導入 → 布局規劃 → 單元布局 → 時鐘樹綜合 → 布線。
數據導入是指導入綜合后的網表和時序約束的腳本文件,以及代工廠提供的庫文件。
布局規劃是指在芯片上規劃輸入/輸出單元,宏單元及其他主要模塊位置的過程。
單元布局是根據網表和時序約束自動放置標準單元的過程。
時鐘樹綜合是指[敏感詞]時鐘緩沖器,生成時鐘網絡,最小化時鐘延遲和偏差的過程。
布線是指在滿足布線層數限制,線寬、線間距等約束條件下,根據電路關系自動連接各個單元的過程。
物理驗證(Physical Verificaiton)通常包括版圖設計規則檢查(DRC),版圖原理圖一致性檢查(LVS)和電氣規則檢查(ERC)等。
版圖交付(Tape Out)是在所有檢查和驗證都正確無誤的前提下,傳遞版圖文件給代工廠生成掩膜圖形,并生產芯片。
模擬IC設計流程:芯片定義 → 電路設計 → 版圖設計 → 版圖驗證 → 版圖交付。
其中芯片定義和版圖交付和數字電路相同,模擬IC在電路設計、版圖設計、版圖驗證和數字電路有所不同。
模擬電路設計是指根據系統需求,設計晶體管級的模擬電路結構,并采用SPICE等仿真工具驗證電路的功能和性能。
模擬版圖設計是按照設計規則,繪制電路圖對應的版圖幾何圖形,并仿真版圖的功能和性能。
模擬版圖驗證是驗證版圖的工藝規則、電氣規則以及版圖電路圖一致性檢查等。
這里,我們做一個簡單的總結:
芯片設計:就是在EDA工具的支持下,通過購買IP授權+自主研發(合作開發)的IP,并遵循嚴格的集成電路設計仿真驗證流程,完成芯片設計的整個過程。在這個過程中,EDA、IP、嚴格的設計流程三者缺一不可。
目前看來,在這三要素中最先可能實現自主可控的就是設計流程了。
下表列出了當前世界前10的芯片設計公司,供大家參考。
02
芯 片 制 造
2.1 設備
芯片制造中,有三大關鍵工序:光刻、刻蝕、沉積。三大工序在生產過程中不斷重復循環,最終制造出合格的芯片。
三大關鍵工序要用到三種關鍵設備,分別是光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備。三大設備占所有設備投入的22%、22%、20%左右,是三種占比[敏感詞]的半導體設備。
下面就以最為典型的光刻機和刻蝕機為例進行介紹并分析自主可控。
光刻機
為了實現摩爾定律,光刻技術需要每兩年把曝光關鍵尺寸(CD)降低30%-50%。需要不斷降低光刻機的波長λ。然而,波長被卡在193nm無法進步長達20年。后來通過工程上最簡單的方法解決,在晶圓光刻膠上方加1mm厚的水,把193nm的波長折射成134nm,稱為浸入式光刻。 浸入式光刻成功翻越了157nm大關,加上后來不斷改進的鏡頭、多光罩、Pitch-split、波段靈敏光刻膠等技術,浸入式193nm光刻機一直可以做到今天的7nm芯片(蘋果A12和華為麒麟980)。 EVU光刻機 EUV極紫外光刻(Extreme Ultra-Violet)是一種使用極紫外(EUV)波長的新一代光刻技術,其波長為13.5納米。由于光刻精度是幾納米,EUV對光的集中度要求極高,相當于拿個手電照到月球光斑不超過一枚硬幣。反射的鏡子要求長30cm起伏不到0.3nm,相當于北京到上海的鐵軌起伏不超過1毫米。一臺EUV光刻機重達180噸,超過10萬個零件,需要40個集裝箱運輸,安裝調試要超過一年時間。 2000年時,日本尼康還是光刻機領域的老大,到了2009年ASML已經[敏感詞],市場占有率近7成。目前,[敏感詞]的光刻機也只有ASML一家可以提供了。 國內的情況,上海微電子(SMEE)已經有分辨率為90nm的光刻機,新的光刻機也在研制中。
在集成電路制造中,光刻只是其中的一個環節,另外還有無數先進科技用于前后道工藝中。
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