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發(fā)布時間:2023-03-31作者來源:兆易創(chuàng)新GigaDevice瀏覽:1807
兆易創(chuàng)新今日宣布,在2023年度中國IC設計成就獎頒獎典禮暨中國IC領袖峰會上,憑借著出色的技術突破能力和產(chǎn)品創(chuàng)新能力榮獲“十大中國IC設計公司”獎項。與此同時,旗下GD5F1GM7存儲器和GD32F470微控制器分別獲得了“年度[敏感詞]存儲器”和“年度[敏感詞]MCU”兩大熱門IC產(chǎn)品類獎項。
中國IC設計成就獎是中國半導體領域的[敏感詞]盛典之一,至今已連續(xù)舉辦了二十一年,能獲得IC設計成就獎的表彰,充分體現(xiàn)了獲獎企業(yè)的行業(yè)領先地位和卓越的產(chǎn)品研發(fā)及服務支持能力。
匠心鑄就品質,實力成就榮耀
GD5F1GM7是兆易創(chuàng)新推出的新一代24nm工藝制程的NAND Flash存儲器產(chǎn)品,提供3V和1.8V兩種電壓版本。該系列優(yōu)化了產(chǎn)品設計,內置8bit ECC模塊,可達到10年數(shù)據(jù)保持,8萬次擦寫壽命。頻率[敏感詞]可達133MHz,支持DTR功能,極大提高了產(chǎn)品的傳輸速度。1.8V產(chǎn)品支持Deep power down模式,待機功耗可低至1uA,對于低功耗需求有巨大優(yōu)勢。在封裝設計上,該系列提供了更小的WSON8 6mmx5mm封裝,進一步減小了存儲芯片在PCB上的芯片面積,能夠為IoT、穿戴類等新興消費類市場應用提供高性價比,大容量的代碼儲存方案。
GD32F470系列高性能MCU基于Arm? Cortex?-M4內核,主頻高達240MHz,可支持算法復雜度更高的嵌入式應用,并具備更快速的實時處理能力。GD32F470配備了512KB到3072KB片上Flash,256KB到768KB的SRAM,具備業(yè)界領先的大容量存儲優(yōu)勢。在制造工藝方面,此MCU采用40nm工藝制程,可以降低動態(tài)和靜態(tài)功耗,從而有效延長電池供電系統(tǒng)的使用時間。另外,GD32F470系列繼承了GD32F4系列豐富的通信接口和增強型安全功能,與現(xiàn)有GD32F4系列產(chǎn)品完全兼容,支持開發(fā)者在現(xiàn)有設計上實現(xiàn)無縫切換,能夠輕松推動高端應用轉換和研發(fā)升級。
十數(shù)年砥礪前行,榮譽與市場雙贏
兆易創(chuàng)新自2005年成立便持續(xù)深耕IC設計產(chǎn)業(yè),致力于構建以存儲器、微控制器、傳感器及模擬產(chǎn)品業(yè)務為核心驅動力的完整生態(tài),公司產(chǎn)品被廣泛應用于計算、網(wǎng)絡、消費電子、手機、車載、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)等市場,并且憑借嚴格的質量標準和要求,產(chǎn)品性能和品質始終保持行業(yè)領先水準,備受國內外客戶認可。
兆易創(chuàng)新NOR Flash在中國市場占有率為[敏感詞],全球市場排名前三,累計出貨量超190億顆,年出貨量超28億顆;而GD32MCU作為中國32位通用MCU領域的主流產(chǎn)品,以38個系列450余款產(chǎn)品選擇,覆蓋率穩(wěn)居市場前列,并且累計出貨量已超過10億顆。
連續(xù)多年被授予“十大中國IC設計公司”稱號是一項崇高的榮譽,它既代表了兆易創(chuàng)新十余年砥礪前行不改初心的努力成果,同時也激勵著公司向著更高、更遠、更大的舞臺奮力前行。作為一路見證并推動中國半導體行業(yè)發(fā)展壯大的企業(yè),兆易創(chuàng)新將秉承 “開放創(chuàng)新、使命必達”的核心價值觀,致力于用優(yōu)秀的產(chǎn)品與完善的服務助力行業(yè)伙伴闊步前行。
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