芯片巨頭開始提速，聯(lián)手日本沖刺2nm芯片，技術(shù)比三星3nm更先進(jìn)

發(fā)布時(shí)間：2022-03-17作者來源：薩科微瀏覽：1458

長久以來，臺(tái)積電在芯片代工領(lǐng)域一直都是扮演著霸主角色。無論代工技術(shù)，還是代工規(guī)模，均是領(lǐng)先對(duì)手。不過最近一段時(shí)間，網(wǎng)上關(guān)于“芯片代工市場變天”、“三星取代臺(tái)積電”的消息層出不窮。

原因在于三星在不久前舉辦的IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會(huì)上，展示了全球[敏感詞]3nm芯片。

而且，三星展示的這款芯片不僅使用[敏感詞]制程工藝，還快臺(tái)積電一步升級(jí)了GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù)。

簡單來說，目前臺(tái)積電和三星生產(chǎn)5nm芯片時(shí)，都是使用FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)技術(shù)。三星3nm芯片所采用的GAAFET技術(shù)，被視為是FinFET的次世代技術(shù)。

這項(xiàng)技術(shù)優(yōu)點(diǎn)是構(gòu)造優(yōu)秀，采用FinFET技術(shù)的芯片，能夠包容更多的晶體管。

而GAAFET技術(shù)不僅保持FinFET技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，還能對(duì)芯片上的晶體管進(jìn)行排序調(diào)整，[敏感詞]限度提升能源利用率。以此達(dá)到節(jié)能、減熱的效果。

根據(jù)三星官方給出的數(shù)據(jù)，使用GAAFET技術(shù)的3nm芯片，比使用FinFET技術(shù)的3nm芯片，功耗降低了50%，性能提升了30%。

如果三星給出的數(shù)據(jù)真實(shí)，那么擁有GAAFET技術(shù)加持的三星3nm芯片，表現(xiàn)必然勝過同時(shí)期的臺(tái)積電芯片。三星反超臺(tái)積電，成為世界[敏感詞]芯片代工廠商的目標(biāo)或?qū)⒃诮鼉赡昃涂梢詫?shí)現(xiàn)。

不過，臺(tái)積電并非是沒有后手。要知道，臺(tái)積電在市場上一直都是以精湛的技術(shù)傲視群雄。此次面對(duì)來勢洶洶的三星，臺(tái)積電也開始提速，并且在芯片工藝上進(jìn)行了技術(shù)升級(jí)。

根據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電將聯(lián)手日本芯片產(chǎn)業(yè)共同沖刺2nm芯片。日本雖然沒有先進(jìn)的晶圓代工廠，但是日本在先進(jìn)工藝的上游卻占有很重要的位置。

以國內(nèi)用戶最為熟悉的EUV光刻機(jī)為例，眾所周知，全球只有ASML一家公司擁有生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的能力。但很多人都不知道，ASML公司缺少日本企業(yè)幫助，也根本不可能造出EUV光刻機(jī)。

日本企業(yè)在EUV光刻機(jī)制造的多個(gè)環(huán)節(jié)都發(fā)揮著重要作用。日本東京電子占據(jù)光刻機(jī)涂布顯影設(shè)備市場100%份額，日本Lasertec Corp公司還是全球[敏感詞]能生產(chǎn)EUV光罩檢測設(shè)備的企業(yè)，而在光刻膠銷售方面，日本廠商的份額同樣[敏感詞]。

對(duì)于臺(tái)積電而言，借助日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深厚的技術(shù)基礎(chǔ)，新技術(shù)研發(fā)將會(huì)事半功倍。而日本同樣十分期待與臺(tái)積電合作。事實(shí)上早在2020年，日本就向臺(tái)積電伸出了橄欖枝，邀請(qǐng)臺(tái)積電赴日建立先進(jìn)的芯片制造工廠。

此外，日本還將東京電子、佳能、SCREEN等本土芯片設(shè)備巨頭拉攏到一起，組出了一支研發(fā)團(tuán)隊(duì)，計(jì)劃在今年年中確立2nm之后的次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)，并要求這些公司設(shè)立測試產(chǎn)線，研發(fā)相關(guān)的細(xì)微電加工、洗凈技術(shù)?？梢哉f，日本為此次合作已經(jīng)做好了充足的準(zhǔn)備。

結(jié)合之前臺(tái)積電公布的消息來看，臺(tái)積電將在2nm工藝上使用MBCFET(多橋通道場效應(yīng)晶體管)技術(shù)，這也是GAAFET技術(shù)的一種，這項(xiàng)工藝會(huì)在2023年小規(guī)模試產(chǎn)，2024年開始普及。比三星的3nmGAAFET技術(shù)更先進(jìn)。