據(jù)報(bào)道，受臺(tái)積電、三星等代工廠積極擴(kuò)產(chǎn)疊加技術(shù)路線演進(jìn)的影響，半導(dǎo)體設(shè)備需求大幅增長(zhǎng)。SEMI近日在其全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)（WWSEMS）報(bào)告中宣布，2021年[敏感詞]季度全球半導(dǎo)體設(shè)備的銷售額同比增長(zhǎng)51%，比上一季度增長(zhǎng)21%，達(dá)到236億美元。我們認(rèn)為受供需結(jié)構(gòu)向好及行業(yè)景氣度上行的推動(dòng)，產(chǎn)業(yè)鏈公司將持續(xù)受益。
2020 年大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)位列全球[敏感詞]
制造是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最關(guān)鍵、市場(chǎng)份額[敏感詞]的環(huán)節(jié)，而設(shè)備和材料是半導(dǎo)體制造的基石。隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)銷售額占整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈比重逐年提升，用于半導(dǎo)體制造的設(shè)備和材料市場(chǎng)也向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移。
受益于國(guó)內(nèi)疫情控制有效，以及政策、資本支持，2020 年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá) 181 億美元，同比+35%，超越中國(guó)臺(tái)灣位列全球[敏感詞]。材料銷售額達(dá) 98 億美元，同比+12%，超越韓國(guó)位列全球第二。由于設(shè)備和材料一定程度上是晶圓制造的景氣程度的先導(dǎo)指標(biāo)，因此未來(lái)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造市場(chǎng)還將繼續(xù)擴(kuò)張。
半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)業(yè)績(jī)高速增長(zhǎng) 受益于行業(yè)高景氣度延續(xù)以及國(guó)產(chǎn)替代持續(xù)推進(jìn)，以北方華創(chuàng)、中微公司、華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技、精測(cè)電子、至純科技、芯源微為代表的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)2020 年及 2021 年一季度收入及凈利潤(rùn)均實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)。尤其是2021年[敏感詞]季度，凈利潤(rùn)增速同比超過(guò)100%。
眾多細(xì)分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)起步較晚，總體營(yíng)業(yè)規(guī)模上與海外巨頭差距較大，但近年來(lái)國(guó)內(nèi)企業(yè)不斷加大投入，在技術(shù)上不斷做出關(guān)鍵性的突破，打破了許多領(lǐng)域的空白，部分細(xì)分市場(chǎng)已開(kāi)始實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。
例如：刻蝕機(jī)方面：中微公司研發(fā)已到達(dá) 5nm 的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，處于國(guó)際領(lǐng)先水平；薄膜沉積設(shè)備方面：北方華創(chuàng)已達(dá)到 14/28nm 的技術(shù)節(jié)點(diǎn)；清洗設(shè)備方面：至純科技打入了中芯國(guó)際、華虹等企業(yè)的供應(yīng)鏈；測(cè)試機(jī)方面：華峰測(cè)控入了日月光、意法半導(dǎo)體等國(guó)際封測(cè)龍頭的供應(yīng)鏈。
中微公司 國(guó)內(nèi)[敏感詞] 7nm/5nm 刻蝕技術(shù)設(shè)備商
目前公司等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國(guó)際一線客戶從 65 納米到 14 納米、7 納米和 5 納米的集成電路加工制造及先進(jìn)封裝。其中 7nm/5nm 刻蝕技術(shù)為國(guó)內(nèi)[敏感詞]。并以獲得批量訂單。 此外，中微公司從 2010 年開(kāi)始開(kāi)發(fā)用于 LED 外延片加工中最關(guān)鍵的設(shè)備——MOCVD 設(shè)備，目前已開(kāi)發(fā)了三代 MOCVD 設(shè)備，可用于藍(lán)綠光 LED、功率器件等加工，包括：[敏感詞]代設(shè)備 Prismo D-Blue、第二代設(shè)備 PrismoA7 及正在開(kāi)發(fā)的第三代 30 英寸大尺寸設(shè)備。
市占率加速提升
從本土存儲(chǔ)及邏輯 IC 制造廠商的招標(biāo)情況來(lái)看，中微公司整體采購(gòu)比例超過(guò) 15%，是進(jìn)入主流存儲(chǔ)、Foundry 廠商[敏感詞]的本土半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備供應(yīng)商。同時(shí)，公司在本土市場(chǎng)的市占率加速提升，以在長(zhǎng)江存儲(chǔ)的中標(biāo)情況來(lái)看，2020年至今已達(dá) 9 臺(tái)，占同期招標(biāo)比例的 22%。
長(zhǎng)川科技
研發(fā)力度不斷加大，核心技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破
2020H1 公司研發(fā)投入達(dá) 0.89 億元，同比增長(zhǎng)110%。收入占比達(dá) 28%。并取得重點(diǎn)研發(fā)進(jìn)展。
主要包括：自主開(kāi)發(fā)基于 1024 個(gè)數(shù)字通道、200Mbps 數(shù)字測(cè)試速率、1G 向量深度以及 128A 電流測(cè)試能力的數(shù)字測(cè)試機(jī) D9000，打破數(shù)字測(cè)試機(jī)國(guó)內(nèi)空白；開(kāi)發(fā)國(guó)內(nèi)首臺(tái)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán) 8/12 寸全自動(dòng)超精密探針臺(tái)，可應(yīng)用于 SOC、Logic、Memory、Discrete 等，目前已在客戶端進(jìn)行 Demo，二代產(chǎn)品在研；模組自動(dòng)化測(cè)試裝備批量導(dǎo)入國(guó)內(nèi)主流廠商，完成國(guó)際一流終端客戶最終認(rèn)證。
定增助推探針臺(tái)快速產(chǎn)業(yè)化和國(guó)產(chǎn)化
2020年，公司擬通過(guò)定增募集資金 3.72 億元，用于探針臺(tái)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。本次探針臺(tái)募投項(xiàng)目所研發(fā)的產(chǎn)品為公司第二代全自動(dòng)超精密探針臺(tái)，兼容 8/12 寸晶圓測(cè)試，產(chǎn)品細(xì)分包括 CP12-SOC/CIS、CP12-Memory、CP12-Discrete、CP12-SiC/GaN 等，分別可應(yīng)用于 SOC/CIS、 Memory、 Discrete、 第 3 代化合物半導(dǎo)體等集成電路的測(cè)試。
目前，全新第二代探針臺(tái)研發(fā)項(xiàng)目已完成關(guān)鍵技術(shù)模塊的開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證，現(xiàn)處于內(nèi)部整機(jī)測(cè)試階段。全球探針臺(tái)主要被東京精密和 TEL 壟斷，在少數(shù)國(guó)產(chǎn)探針臺(tái)供應(yīng)商中，長(zhǎng)川最有希望率先實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。
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