從2001年左右開始，化合物半導(dǎo)體氮化鎵引發(fā)了一場照明革命，從某些方面來看，這是人類歷史上最快的技術(shù)變革。根據(jù)國際能源署的一項研究，在短短二十年內(nèi)，基于氮化鎵的發(fā)光二極管在全球照明市場中的份額已從零增長到超過50%。研究公司 Mordor Intelligence 最近預(yù)測，在全球范圍內(nèi)，LED 照明將在未來七年內(nèi)將照明用電量減少30%至40%。根據(jù)聯(lián)合國環(huán)境規(guī)劃署的數(shù)據(jù) ，在全球范圍內(nèi)，照明約占用電量的20%和二氧化碳排放量的6% 。

每個晶圓都包含數(shù)百個[敏感詞]的功率晶體管

這場革命遠未結(jié)束。確實，它即將躍升至更高的層次。改變了照明行業(yè)的半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 (GaN) 也是電力電子革命的一部分，這場革命正在蓄勢待發(fā)。因為化合物半導(dǎo)體中的一種——碳化硅 (SiC)——已經(jīng)開始在巨大而重要的電力電子領(lǐng)域取代硅基電子產(chǎn)品。

GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計的此類設(shè)備，其中許多每天運行數(shù)小時，因此節(jié)省的能源將是巨大的。與GaN LED取代白熾燈和其他傳統(tǒng)照明相比，GaN和SiC電力電子產(chǎn)品的興起最終將對地球氣候產(chǎn)生更大的積極影響。

幾乎所有必須將交流電轉(zhuǎn)換為直流電或?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為直流電的地方，浪費的功率都會減少。這種轉(zhuǎn)換發(fā)生在手機或筆記本電腦的壁式充電器、為電動汽車供電的更大的充電器和逆變器以及其他地方。隨著其他硅據(jù)點也落入新半導(dǎo)體，將會有類似的節(jié)省。無線基站放大器是不斷增長的應(yīng)用之一，這些新興半導(dǎo)體在這些應(yīng)用中顯然具有優(yōu)勢。在減緩氣候變化的努力中，消除功耗浪費是唾手可得的成果，而這些半導(dǎo)體正是我們收獲它的方式。

這是技術(shù)史上常見模式的新實例：兩項相互競爭的創(chuàng)新同時取得成果。這一切將如何擺脫？SiC將在哪些應(yīng)用領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，而GaN將在哪些領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位？認真審視這兩種半導(dǎo)體的相對優(yōu)勢可以為我們提供一些可靠的線索。

在我們了解半導(dǎo)體本身之前，讓我們首先考慮一下我們?yōu)槭裁葱枰鼈?。首先：電源轉(zhuǎn)換無處不在。它遠遠超出了為我們的智能手機、平板電腦、筆記本電腦和無數(shù)其他小工具供電的小型壁式充電器。

電力轉(zhuǎn)換是將電力從可用形式轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品執(zhí)行其功能所需形式的過程。在這種轉(zhuǎn)換中總會損失一些能量，并且由于其中一些產(chǎn)品持續(xù)運行，因此可以節(jié)省大量能源?；叵胍幌拢罕M管加州的經(jīng)濟產(chǎn)出猛增，但自1980年以來，該州的電力消耗基本持平。需求保持平穩(wěn)的最重要原因之一是冰箱和空調(diào)的效率在此期間大幅提高。這一改進中最重要的一個因素是使用基于絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 和其他電力電子設(shè)備的變速驅(qū)動器，從而大大提高了效率。

在高壓功率晶體管市場，氮化鎵器件在400伏左右以下的應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位，而碳化硅現(xiàn)在在800伏及以上的應(yīng)用中具有優(yōu)勢（2000伏左右以上的市場相對較?。ｋS著GaN器件的改進，400至1,000V之間的重要戰(zhàn)場格局將發(fā)生變化。例如，隨著1,200V GaN晶體管的推出（預(yù)計在2025年推出），電動汽車逆變器這個最重要的市場將加入這場戰(zhàn)斗。

SiC和GaN將大大減少排放。根據(jù)2007年創(chuàng)立的GaN器件公司Transphorm對公開數(shù)據(jù)的分析，到2041年，僅基于GaN的技術(shù)就可以在美國和印度減少超過10億噸的溫室氣體排放。數(shù)據(jù)來自國際能源署、Statista 和其他來源。相同的分析表明可節(jié)省1,400太瓦時的能源，即兩國當(dāng)年預(yù)計能源消耗的10%至15%。

與普通晶體管一樣，功率晶體管可以充當(dāng)放大設(shè)備或開關(guān)。放大作用的一個重要例子是無線基站，它放大信號以傳輸?shù)街悄苁謾C。在全世界，用于制造這些放大器中的晶體管的半導(dǎo)體正在從稱為橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體 (LDMOS) 的硅技術(shù)轉(zhuǎn)向 GaN。新技術(shù)具有許多優(yōu)勢，包括能效提高 10%或更多取決于頻率。另一方面，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，晶體管充當(dāng)開關(guān)而不是放大器。標(biāo)準技術(shù)稱為脈寬調(diào)制。例如，在常見類型的電機控制器中，直流電脈沖被饋送到安裝在電機轉(zhuǎn)子上的線圈。這些脈沖建立了一個磁場，該磁場與電機定子的磁場相互作用，從而使轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)。這種旋轉(zhuǎn)的速度是通過改變脈沖的長度來控制的：這些脈沖的圖形是一個方波，脈沖“開”而不是“關(guān)”的時間越長，電機提供的轉(zhuǎn)速和扭矩就越大。功率晶體管完成開關(guān)。

脈寬調(diào)制也用于開關(guān)電源，這是最常見的電源轉(zhuǎn)換示例之一。開關(guān)電源是為幾乎所有以直流電運行的個人電腦、移動設(shè)備和電器供電的類型?；旧希斎氲慕涣麟妷罕晦D(zhuǎn)換為直流，然后該直流被“斬波”為高頻交流方波。這種斬波是由功率晶體管完成的，它通過打開和關(guān)閉直流電來產(chǎn)生方波。方波被施加到變壓器，變壓器改變波的幅度以產(chǎn)生所需的輸出電壓。為了獲得穩(wěn)定的直流輸出，來自變壓器的電壓經(jīng)過整流和濾波。

這里的重點是，功率晶體管的特性幾乎完全決定了電路執(zhí)行脈寬調(diào)制的能力，因此也決定了控制器調(diào)節(jié)電壓的效率。理想的功率晶體管在處于關(guān)斷狀態(tài)時會完全阻斷電流，即使在施加的電壓很高時也是如此。這種特性稱為高電擊穿場強，它表示半導(dǎo)體能夠承受多大的電壓。另一方面，當(dāng)它處于導(dǎo)通狀態(tài)時，這種理想晶體管對電流的流動阻力非常小。這一特征源于半導(dǎo)體晶格內(nèi)電荷（電子和空穴）的非常高的遷移率。將擊穿場強和電荷遷移率視為功率半導(dǎo)體的陰陽。

與它們所取代的硅半導(dǎo)體相比，GaN和SiC更接近這一理想狀態(tài)。首先，考慮擊穿場強。GaN和SiC都屬于寬帶隙半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的帶隙定義為半導(dǎo)體晶格中的電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶所需的能量，以電子伏特為單位。價帶中的電子參與晶格內(nèi)原子的鍵合，而導(dǎo)帶中的電子可以在晶格中自由移動并導(dǎo)電。

在具有寬帶隙的半導(dǎo)體中，原子之間的鍵很強，因此材料通常能夠在鍵斷裂之前承受相對較高的電壓，據(jù)說晶體管會損壞。與GaN的3.40eV相比，硅的帶隙為1.12電子伏特。對于最常見的SiC類型，帶隙為3.26eV。[見下表，“Bandgap Menagerie”]

運行速度和阻斷高壓的能力是功率晶體管的兩個最重要的特性。這兩種品質(zhì)又由用于制造晶體管的半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵物理參數(shù)決定。速度取決于半導(dǎo)體中電荷的遷移率和速度，而電壓阻斷則取決于材料的帶隙和電擊穿場。

現(xiàn)在讓我們看看遷移率，它以平方厘米/伏秒 (cm2/V·s)為單位。遷移率和電場的乘積產(chǎn)生電子的速度，速度越高，對于給定數(shù)量的移動電荷，攜帶的電流就越大。對于硅，這個數(shù)字是1,450；對于SiC，它約為950；對于GaN，約為2,000。GaN異常高的價值是它不僅可以用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，還可以用于微波放大器的原因。GaN晶體管可以放大頻率高達100GHz 的信號——遠高于通常被認為是硅LDMOS[敏感詞]值的3至4GHz。作為參考，5G 的毫米波頻率[敏感詞]可達52.6GHz。這個[敏感詞]5G頻段尚未廣泛使用，但是，高達75GHz的頻率正在部署在dish to dish通信中，研究人員現(xiàn)在正在使用高達140GHz 的頻率進行室內(nèi)通信。對帶寬的需求是無法滿足的。

這些性能數(shù)據(jù)很重要，但它們并不是針對任何特定應(yīng)用比較 GaN 和 SiC 的[敏感詞]標(biāo)準。其他關(guān)鍵因素包括設(shè)備及其集成系統(tǒng)的易用性和成本?？偠灾@些因素解釋了這些半導(dǎo)體中的每一種在何處以及為何開始取代硅——以及它們未來的競爭可能如何擺脫困境。

Cree（現(xiàn)為 Wolfspeed）于2011 年推出了[敏感詞]個商業(yè)上可行的優(yōu)于硅的 SiC 晶體管。它可以阻擋 1,200 伏特，并且在傳導(dǎo)電流時具有80毫歐姆的相當(dāng)?shù)偷碾娮?。目前市場上存在三種不同類型的SiC晶體管。Rohm有一個溝槽MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）；Infineon Technologies、ON Semiconductor Corp.、STMicroelectronics、Wolfspeed等的 DMOS（雙擴散MOS）；以及Qorvo的垂直結(jié)場效應(yīng)晶體管。

SiC MOSFET的一大優(yōu)勢是它們與傳統(tǒng)硅 MOSFET 的相似性——甚至封裝也是相同的。SiC MOSFET 的工作方式與普通硅 MOSFET 基本相同。有源極、柵極和漏極。當(dāng)器件開啟時，電子從重摻雜的 n型源流過輕摻雜的體區(qū)，然后通過導(dǎo)電基板“排出”。這種相似性意味著工程師轉(zhuǎn)向 SiC 的學(xué)習(xí)曲線很小。

與GaN相比，SiC具有其他優(yōu)勢。SiC MOSFET 本質(zhì)上是“fail-open”器件，這意味著如果控制電路因任何原因發(fā)生故障，晶體管將停止傳導(dǎo)電流。這是一個重要的特性，因為這個特性在很大程度上消除了故障可能導(dǎo)致短路和火災(zāi)或爆炸的可能性。（然而，為此功能付出的代價是較低的電子遷移率，這會增加設(shè)備開啟時的電阻。）

GaN帶來了自己獨特的優(yōu)勢。該半導(dǎo)體于2000年首次在發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器市場上實現(xiàn)商業(yè)化。它是[敏感詞]個能夠可靠地發(fā)出明亮的綠色、藍色、紫色和紫外光的半導(dǎo)體。但早在光電子學(xué)取得商業(yè)突破之前，研究人員就已經(jīng)證明了GaN在高功率電子領(lǐng)域的前景。GaN LED迅速流行起來，因為它們填補了高效照明的空白。但用于電子產(chǎn)品的GaN必須證明自己優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)：特別是英飛凌用于電力電子產(chǎn)品的硅CoolMOS晶體管，以及用于射頻電子產(chǎn)品的硅 LDMOS 和砷化鎵晶體管。

GaN的主要優(yōu)勢是其極高的電子遷移率。電流，電荷的流動，等于電荷的濃度乘以它們的速度。因此，由于高濃度或高速度或兩者的某種組合，您可以獲得高電流。GaN晶體管是不尋常的，因為流過該器件的大部分電流是由于電子速度而不是電荷濃度。這在實踐中意味著，與Si或SiC相比，更少的電荷必須流入設(shè)備以將其打開或關(guān)閉。這反過來又減少了每個開關(guān)周期所需的能量并有助于提高效率。

兩種主要類型的氮化鎵晶體管之一稱為增強型器件。它使用一個工作在6伏左右的柵極控制電路來控制主開關(guān)電路，當(dāng)控制電路關(guān)閉時，它可以阻斷600伏或更高的電壓。當(dāng)器件開啟時（當(dāng)柵極施加6V電壓時），電子在稱為二維電子氣的平坦區(qū)域中從漏極流向源極。在這個區(qū)域，電子極易移動——這是一個有助于實現(xiàn)非常高開關(guān)速度的因素——并且被限制在氮化鋁鎵屏障之下。當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時，柵極下方的區(qū)域會耗盡電子，從而斷開柵極下方的電路并停止電流流動。

同時，GaN的高電子遷移率允許開關(guān)速度達到每納秒50伏。該特性意味著基于GaN晶體管的功率轉(zhuǎn)換器可以在數(shù)百千赫茲的頻率下高效運行，而硅或SiC的功率轉(zhuǎn)換器的頻率約為100千赫茲。

總的來說，高效率和高頻使得基于GaN器件的功率轉(zhuǎn)換器非常小和輕：高效率意味著更小的散熱器，而在高頻下運行意味著電感器和電容器也可以非常小。

GaN半導(dǎo)體的一個缺點是它們還沒有可靠的絕緣體技術(shù)。這使故障安全設(shè)備的設(shè)計變得復(fù)雜。換句話說，如果控制電路發(fā)生故障，則故障打開。

有兩種選擇可以實現(xiàn)這種常閉特性。一種方法是為晶體管配備一種柵極，當(dāng)沒有電壓施加到柵極時，該柵極會去除溝道中的電荷，并且僅在向該柵極施加正電壓時才傳導(dǎo)電流。這些稱為增強模式設(shè)備。例如，它們由EPC、GaN Systems、Infineon、Innoscience和Navitas提供 。[參見插圖，“增強型-模式GaN晶體管”]

另一個選項稱為共源共柵解決方案。它使用獨立的低損耗硅場效應(yīng)晶體管為GaN晶體管提供故障安全功能。Power Integrations、Texas Instruments和Transphorm使用了這種共源共柵解決方案  。[參見插圖，“級聯(lián)耗盡型 GaN 晶體管”]

為了安全起見，當(dāng)功率晶體管的控制電路發(fā)生故障時，它必須失效進入開路狀態(tài)，沒有電流流動。這對氮化鎵器件來說是一個挑戰(zhàn)，因為它們?nèi)狈υ诟邏鹤钄酄顟B(tài)和載流狀態(tài)下都可靠的柵極絕緣體材料。一種稱為級聯(lián)耗盡模式的解決方案使用硅場效應(yīng)晶體管 (FET) 上的低電壓信號來控制氮化鎵高電子遷移率晶體管上的大得多的電壓 [右上]。如果控制電路出現(xiàn)故障，F(xiàn)ET柵極上的電壓將降至零，并且停止傳導(dǎo)電流 [左上圖]。隨著FET不再傳導(dǎo)電流，氮化鎵晶體管也停止傳導(dǎo)，因為組合器件的漏極和源極之間不再存在閉合電路。

如果不考慮成本，任何半導(dǎo)體比較都是不完整的。一個粗略的經(jīng)驗法則是——die尺寸越小意味著成本越低，die尺寸是包含器件的集成電路的物理面積。

SiC器件現(xiàn)在通常具有比GaN器件更小的芯片。然而，SiC的襯底和制造成本高于GaN，而且一般來說，5千瓦及更高功率應(yīng)用的最終器件成本如今相差無幾。不過，未來的趨勢可能有利于GaN。我的這種信念是基于GaN器件的相對簡單性，這意味著生產(chǎn)成本低到足以克服更大的裸片尺寸。

也就是說，要使GaN適用于許多也需要高電壓的大功率應(yīng)用，它必須具有額定電壓為1,200V的經(jīng)濟高效的高性能器件。畢竟，在該電壓下已經(jīng)有可用的SiC晶體管。目前，最接近商用的GaN晶體管的額定電壓為900V。最近,Transphorm還展示了在藍寶石襯底上制造的1,200-V器件，其電氣和熱性能均與SiC器件相當(dāng)。

研究公司Omdia對1,200-V SiC MOSFET的預(yù)測顯示2025年的價格為每安培16美分。據(jù)筆者估計，由于GaN襯底的成本較低，2025年[敏感詞]代1,200-V GaN晶體管的價格將低于他們的SiC同行。當(dāng)然，這只是我的意見；我們都確切地知道這將在幾年內(nèi)發(fā)生什么變化。

考慮到這些相對優(yōu)勢和劣勢，讓我們逐一考慮各個應(yīng)用程序，并闡明事情可能如何發(fā)展。

特斯拉在2017年為其Model 3的車載或牽引逆變器采用SiC，這是該半導(dǎo)體的早期重大勝利。在電動汽車中，牽引逆變器將電池的直流電轉(zhuǎn)換為電機的交流電。逆變器還通過改變交流電的頻率來控制電機的速度。據(jù)新聞報道，如今，梅賽德斯-奔馳和Lucid Motors也在其逆變器中使用SiC，其他電動汽車制造商也計劃在即將推出的車型中使用SiC。SiC器件由Infineon、OnSemi、Rohm、Wolfspeed等供應(yīng)。EV牽引逆變器的功率范圍通常從小型EV的約35kW到100kW到大型車輛的約400kW。

然而，將這場競賽稱為SiC還為時過早。正如我所指出的，要打入這個市場，GaN供應(yīng)商必須提供1,200-V的器件。電動汽車電氣系統(tǒng)現(xiàn)在通常僅在400伏電壓下運行，但保時捷Taycan擁有800伏系統(tǒng)，奧迪、現(xiàn)代和起亞的電動汽車也是如此。預(yù)計其他汽車制造商將在未來幾年效仿。（Lucid Air有一個 900-V系統(tǒng)。）我希望在2025年看到[敏感詞]個商用1,200-V GaN晶體管。這些設(shè)備不僅將用于車輛，還將用于高速公共EV充電器。

GaN可能實現(xiàn)的更高開關(guān)速度將成為EV逆變器的一個強大優(yōu)勢，因為這些開關(guān)采用了所謂的硬開關(guān)技術(shù)。在這里，提高性能的方法是非?？焖俚貜拇蜷_切換到關(guān)閉，以[敏感詞]限度地減少設(shè)備保持高電壓 和通過高電流的時間。

除逆變器外，電動汽車通常還配備車載充電器，可通過將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，利用壁（市電）電流為車輛充電。在這里，GaN再次非常有吸引力，原因與使其成為逆變器的理想選擇的原因相同。

至少在未來十年內(nèi)，用于額定電壓為3kV或更高的設(shè)備的超高壓電源轉(zhuǎn)換仍將是SiC的領(lǐng)域。這些應(yīng)用包括有助于穩(wěn)定電網(wǎng)、將交流電轉(zhuǎn)換為直流電并在傳輸級電壓下再次轉(zhuǎn)換回來的系統(tǒng)，以及其他用途。

從2019年開始，GaN Systems、Innoscience、Navitas、Power Integrations和Transphorm等公司開始銷售基于GaN的壁式充電器。

GaN的高開關(guān)速度及其普遍較低的成本使其成為低功率市場（25至500W）的主導(dǎo)者，在這些市場中，這些因素以及小尺寸和穩(wěn)健的供應(yīng)鏈至關(guān)重要。這些早期的GaN功率轉(zhuǎn)換器具有高達300kHz的開關(guān)頻率和超過92%的效率。他們創(chuàng)造了功率密度記錄，數(shù)字高達每立方英寸30W（1.83W/cmm3）——大約是他們正在更換的硅基充電器密度的兩倍。

自動化探針系統(tǒng)施加高壓以對晶圓上的功率晶體管進行壓力測試。自動化系統(tǒng)可在幾分鐘內(nèi)測試大約500個裸片中的每一個。  

近年來，太陽能發(fā)電在電網(wǎng)規(guī)模和分布式（家庭）應(yīng)用中都取得了成功。對于每個安裝，都需要一個逆變器將太陽能電池板的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，為家庭供電或?qū)㈦娔茚尫诺诫娋W(wǎng)。今天，電網(wǎng)規(guī)模的光伏逆變器是硅 IGBT和SiC MOSFET的領(lǐng)域。但GaN將開始進軍分布式太陽能市場，尤其是。

傳統(tǒng)上，在這些分布式安裝中，所有太陽能電池板都有一個逆變器箱。但越來越多的安裝人員更喜歡這樣的系統(tǒng)，其中每個面板都有一個單獨的微型逆變器，并且在為房屋供電或為電網(wǎng)供電之前將交流電組合起來。這樣的設(shè)置意味著系統(tǒng)可以監(jiān)控每個面板的操作，以優(yōu)化整個陣列的性能。

微型逆變器或傳統(tǒng)逆變器系統(tǒng)對現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心至關(guān)重要。再加上電池，他們創(chuàng)造了一個不間斷的電源，以防止停電。此外，所有數(shù)據(jù)中心都使用功率因數(shù)校正電路，調(diào)整電源的交流波形以提高效率并消除可能損壞設(shè)備的特性。對于這些，GaN提供了一種低損耗且經(jīng)濟的解決方案，正在慢慢取代硅。

GaN的卓越速度和高功率密度將使其能夠贏得并最終主導(dǎo)微波領(lǐng)域的應(yīng)用，尤其是5G和6G無線以及商業(yè)和軍用雷達。這里的主要競爭是硅LDMOS器件陣列，它們更便宜但性能較低。事實上，GaN在4GHz及以上的頻率上沒有真正的競爭對手。

對于5G和6G無線，關(guān)鍵參數(shù)是帶寬，因為它決定了硬件可以有效傳輸多少信息。下一代5G系統(tǒng)將擁有近1GHz的帶寬，可實現(xiàn)超快的視頻和其他應(yīng)用。

使用絕緣體上硅技術(shù)的微波通信系統(tǒng)提供了一種使用高頻硅器件的5G+解決方案，其中每個器件的低輸出功率都通過大量陣列來克服。GaN和硅將在這個領(lǐng)域共存一段時間。特定應(yīng)用程序的贏家將取決于系統(tǒng)架構(gòu)、成本和性能之間的權(quán)衡。

美國軍方正在部署許多基于GaN電子設(shè)備的地面雷達系統(tǒng)。其中包括由 Northrup-Grumman 為美國海軍陸戰(zhàn)隊建造的地面/空中任務(wù)導(dǎo)向雷達和有源電子掃描陣列雷達。雷神公司的SPY6雷達已交付給美國海軍，并于2022年12月進行了首次海上測試。該系統(tǒng)大大擴展了艦載雷達的范圍和靈敏度。

如今，SiC在EV逆變器中占據(jù)主導(dǎo)地位，而且通常在電壓阻斷能力和功率處理能力至關(guān)重要且頻率較低的地方。GaN是高頻性能至關(guān)重要的[敏感詞]技術(shù)，例如5G和6G基站，以及雷達和高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，例如墻上插頭適配器、微型逆變器和電源。

但GaN和SiC之間的拉鋸戰(zhàn)才剛剛開始。無論競爭如何，一個應(yīng)用一個應(yīng)用，一個市場一個市場，我們可以肯定地說，地球環(huán)境將成為贏家。隨著這一技術(shù)更新和復(fù)興的新周期勢不可擋地向前發(fā)展，未來幾年將避免數(shù)十億噸溫室氣體排放。