薩科微半導(dǎo)體帶您深入了解MOS管（場效應(yīng)管）

發(fā)布時間：2022-03-17作者來源：薩科微瀏覽：2771

什么是增強(qiáng)型MOS管？什么是增強(qiáng)型MOS管?什么是耗盡型MOS管

增強(qiáng)型：柵極與襯底間不加電壓時，柵極下面沒有溝道存在。也就是說，對于NMOS，閾值電壓大于0；PMOS，小于0。耗盡型：柵極與襯底間不加電壓時，柵極下面已有溝道存在。也就是說，對于NMOS，閾值電壓小于0；PMOS，大于0。通過改變有源區(qū)的摻雜濃度，控制柵極絕緣層厚度和選擇某種功函數(shù)的柵極材料，可以制造出增強(qiáng)型或耗盡型的MOSFET。

MOS管的注意事項有哪些呢？

（3）MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿

MOS管是什么？

MOS管一般又叫場效應(yīng)管，與二極管和三極管不同，二極管只能通過正向電流，反向截止，不能控制，三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流，MOS管是小電壓控制電流的。

MOS管的輸入電阻極大，兆歐級的，容易驅(qū)動，但是價格比三極管要高，一般適用于需要小電壓控制大電流的情況，電磁爐里一般就是用的20A或者25A的場效應(yīng)管。

拓展資料：

MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓。MOS管一般又叫場效應(yīng)管，與二極管和三極管不同，二極管只能通過正向電流，反向截止，不能控制，三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流，MOS管是小電壓控制電流的，MOS管的輸入電阻極大，兆歐級的，容易驅(qū)動，但是價格比三極管要高，一般適用于需要小電壓控制大電流的情況，電磁爐里一般就是用的20A或者25A的場效應(yīng)管。mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出

一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓Mos管。

場效應(yīng)管的名字也來源于它的輸入端（稱為gate）通過投影

一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。mos管是什么東西呢

mos管的作用

MOS管的作用 MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣,導(dǎo)通結(jié)的壓降最小.這就是常說的精典是開關(guān)作用.去掉這個控制電壓經(jīng)就截止. MOS管 MOS管的英文全稱叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于場效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為場效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中，MOSFET扮演的角色主要是判斷電位，它在主板上常用“Q”加數(shù)字表示。一、MOS管的作用是什么？目前主板或顯卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10個左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是為配件提供穩(wěn)定的電壓，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和內(nèi)存插槽附近。其中在CPU與AGP插槽附近各安排一組MOS管，而內(nèi)存插槽則共用了一組MOS管，MOS管一般是以兩個組成一組的形式出現(xiàn)主板上的。二、MOS管的性能參數(shù)有哪些？優(yōu)質(zhì)的MOS管能夠承受的電流峰值更高。一般情況下我們要判斷主板上MOS管的質(zhì)量高低，可以看它能承受的[敏感詞]電流值。影響MOS管質(zhì)量高低的參數(shù)非常多，像[敏感詞]電流、[敏感詞]電壓等。但在MOS管上無法標(biāo)注這么多參數(shù)，所以在MOS管表面一般只標(biāo)注了產(chǎn)品的型號，我們可以根據(jù)該型號上網(wǎng)查找具體的性能參數(shù)。還要說明的是，溫度也是MOS管一個非常重要的性能參數(shù)。主要包括環(huán)境溫度、管殼溫度、貯成溫度等。由于CPU頻率的提高，MOS管需要承受的電流也隨著增強(qiáng)，提供近百A的電流已經(jīng)很常見了。如此巨大的電流通過時產(chǎn)生的熱量當(dāng)然使MOS管“發(fā)燒”了。為了MOS管的安全，高品質(zhì)主板也開始為MOS管加裝散熱片了。電感與MOS管是如何合作的？通過上面的介紹，我們知道MOS管對于整個供電系統(tǒng)起著穩(wěn)壓的作用，但是MOS管不能單獨使用，它必須和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩(wěn)壓電路，才能發(fā)揮充分它的優(yōu)勢。主板上的PWM(PlusWidthModulator，脈沖寬度調(diào)制器)芯片產(chǎn)生一個寬度可調(diào)的脈沖波形，這樣可以使兩只MOS管輪流導(dǎo)通。當(dāng)負(fù)載兩端的電壓(如CPU需要的電壓)要降低時，這時MOS管的開關(guān)作用開始生效，外部電源對電感進(jìn)行充電并達(dá)到所需的額定電壓。當(dāng)負(fù)載兩端的電壓升高時，通過MOS管的開關(guān)作用，外部電源供電斷開，電感釋放出剛才充入的能量，這時的電感就變成了“電源”，繼續(xù)對負(fù)載供電。隨著電感上存儲能量的不斷消耗，負(fù)載兩端的電壓又開始逐漸降低，外部電源通過MOS管的開關(guān)作用又要充電。這樣循環(huán)不斷地進(jìn)行充電和放電的過程，從而形成一種穩(wěn)定的電壓，永遠(yuǎn)使負(fù)載兩端的電壓不會升高也不會降低。