前段時間，美國空軍研究實驗室（AFRL）的J. D. Blevins發(fā)表一篇報告，介紹了美國SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程。

據(jù)介紹，北卡羅來納州立大學(xué)很早就進行SiC升華生長研究，憑借所多項關(guān)鍵專利，1987年Cree-Research正式成立，并于1991年成為[敏感詞]家提供商業(yè)化碳化硅的公司。

圖1.Cree25mm 6H-SiC襯底和6H-SiC Lely片晶。

除了 Cree-Research外，1990年代初期，西屋科技中心和先進技術(shù)材料公司(ATMI)也都積極參與SiC的研究和開發(fā)。

不過，早期的SiC升華生長研究充滿坎坷，存在種種難以克服的技術(shù)挑戰(zhàn)，包括微管、摻雜、多型控制、直徑膨脹和晶體缺陷等。

Cree-Research于1991年和1998年分別推出了25mm 6H SiC和50mm 4H SiC。盡管有多個供應(yīng)商生產(chǎn)類似產(chǎn)品，但價格都很昂貴，而微管密度超過100cm-2 。

圖 2. 早期升華法碳化硅單晶供應(yīng)商和規(guī)格。

為了推動SiC實現(xiàn)更廣泛的商業(yè)化，1999 年，美國《[敏感詞]生產(chǎn)法案》“Title III計劃”為SiC行業(yè)提供了急需的啟動資金，美國空軍為3家公司提供了“成本分?jǐn)偤贤保?/span>包括Cree-Research、Sterling (ATMI)和Litton-Airtron，目標(biāo)是將SiC襯底直徑擴大到75mm，并提高晶體質(zhì)量。

2002年開始，美國[敏感詞]高級研究計劃機構(gòu)的WBGS計劃也高度關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體材料的開發(fā)，Cree和Sterling都獲得了相關(guān)合同，目標(biāo)是將N型和半絕緣SiC襯底直徑擴大到100mm，并將微管密度降低到1cm-2以下。

不過，并不是所有獲得資助的企業(yè)都發(fā)展地很好。

2000年12月，Litton Industries以38億美元（約245億人民幣）或每股80美元的價格被Northrop Grumman收購。2001年底，Litton-Airtron的SiC研發(fā)部門又被II-VI收購。

2002年，在獲得DARPA合同的幾個星期后，Sterling的母公司Uniroyal Corporation就申請破產(chǎn)，導(dǎo)致關(guān)鍵技術(shù)人員外流。道康寧立即收購了Sterling。

而且，早期的SiC技術(shù)開發(fā)遠未能實現(xiàn)合同計劃目標(biāo)。從下圖可以看出，Cree的品質(zhì)明顯優(yōu)于競爭對手。

圖4.2002年左右，Cree 75mm、DOW 75mm和II-VI 50mm 4HN SiC （上）和半絕緣 SiC的交叉偏振圖像（下）。

2005年，DARPA對SiC襯底的支持基本結(jié)束，只有Cree顯示出加速SiC襯底商業(yè)化的強烈跡象。而當(dāng)時，道康寧的研發(fā)依舊掙扎，而II-VI的進展也很緩慢。

隨后，DARPA將投資主要集中在SiC功率開關(guān)和GaN RF器件上，Cree的襯底業(yè)務(wù)從中受益。

2000年代初期，Cree繼續(xù)在SiC襯底技術(shù)開發(fā)和推廣等方面處于領(lǐng)先地位，通過垂直整合，他們能夠通過內(nèi)部使用需求直接推動材料質(zhì)量的改進，但這也意味著他們襯底和外延客戶也是他們的主要競爭對手。

美國認(rèn)為，SiC襯底只有單一供應(yīng)商，可能會阻礙產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，純SiC襯底供應(yīng)商對SiC和GaN器件技術(shù)的長期開發(fā)和商業(yè)化至關(guān)重要。

于是，從2003年-2017年，AFRL向II-VI公司提供了4份大合同，合計超過3.5億人民幣。

前兩份合同的主要目標(biāo)是將4HN SiC的直徑擴大到100毫米。不過，當(dāng)時II-VI的100 mm半絕緣6H SiC邊緣區(qū)域布滿成形晶粒和其他缺陷，微管密度達到117cm-2（下圖）。

因此，在支持II-VI的同時，AFRL也支持Intrinsic開發(fā)SiC。Intrinsic是由Sterling被收購后的關(guān)鍵人員組成。

在不到兩年的時間內(nèi)，Intrinsic 迅速成功地展示了高質(zhì)量的100-mm SiC。更重要的是， 2005年9月，Intrinsic率先發(fā)布了零微管 (ZMPTM)4HN SiC（下圖）。

但是2006年7月，Cree收購了Intrinsic。2007年，Cree發(fā)布了100mm 4HN ZMPTM SiC，以及100 mm半絕緣SiC。

好在II-VI的研發(fā)也有進展，在2003-2010年期間，II-VI將晶體直徑從50毫米擴大到100毫米，也發(fā)布了100毫米4HNSiC和半絕緣SiC。

圖釋：II-VI 100-mm半絕緣6H SiC襯底（上）和100mm 4HN SiC襯底（下）。

2010年底，AFRL與II-VI簽訂了[敏感詞]的合同——超過2000萬美元（約1.3億人民幣），重點是開發(fā)和商業(yè)化6英寸的4HN SiC和半絕緣6H SiC，以及繼續(xù)將直徑擴展到8英寸。

獲得資助后，II-VI對設(shè)施和設(shè)備進行了大量投資，包括擴建新澤西州工廠，并且在密西西比州建立兩個制造工廠。

最終，II-VI依靠其[敏感詞]專利的高級物理氣相傳輸 (APVT)和軸向梯度傳輸 (AGT)晶體生長技術(shù)，實現(xiàn)了6英寸和8英寸SiC單晶的目標(biāo)。

II-VI分別在2013年和2014年展示了無微管100mm 6H半絕緣和150mm 4HN SiC；2015年7 月，成為了[敏感詞]展示8英寸4HN SiC的企業(yè)。

2017年3月，AFRL為II-VI提供了第四個合同，為期 5 年，政府資助1200萬美元（約7748億人民幣）。這項工作的重點是提高制造效率、減少缺陷和降低成本，以生長和制造200毫米的4HN SiC和半絕緣SiC。

這些無缺陷的大直徑晶體是使用新的全自動生長平臺生長的，而且，II-VI成功將200mm 4HN SiC的位錯密度降低到1881cm-2 ，其中包括598 cm-2的螺桿密度和272 cm-2的基面密度。

在半絕緣碳化硅方面，II-VI使用釩補償在帶隙內(nèi)引入深能級，是使用釩摻雜的半絕緣SiC[敏感詞]市場供應(yīng)商，其可再現(xiàn)和高度均勻的電阻率超過1011Ω·cm。

2019年10月，II-VI 在業(yè)界首次展示了200 mm的6H半絕緣SiC。

在過去的 30 年里，美國[敏感詞]部為寬帶隙半導(dǎo)體資助超過10億美元（約64.57億人民幣），可以說催生了一個全新的行業(yè)。Cree Research、Westinghouse、Northrop-Grumman、ATMI、Sterling、Litton-Airtron、Dow 和 Intrinsic 等公司，有些被并購，有些已經(jīng)消失。而Wolfspeed-Cree、II-VI“勝者為王”，目前兩家企業(yè)的全球市占率合計超過70%。

近年來，隨著SiC商業(yè)和[敏感詞]需求迅速增長，這兩家企業(yè)也在不斷擴產(chǎn)。2019年9月，Wolfspeed-Cree宣布承諾投資10億美元建立全球[敏感詞]的 SiC 功率和射頻制造工廠。而II-VI繼續(xù)擴大新澤西州、賓夕法尼亞州和馬薩諸塞州的制造產(chǎn)能。

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