半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展日新月異，碳化硅SiC、氮化鎵GaN、砷化鎵GaAs等是第三代半導(dǎo)體的代表。尤其是碳化硅，在電力電子市場每年將會有100-200億的市場份額。

碳化硅SiC元器件與傳統(tǒng)硅Si材料比較，有寬禁帶、高開關(guān)頻率，高抗浪涌、抗高壓抗高溫等特點，而且壽命長，功率密度高，應(yīng)用范圍非常廣泛。

目前國際上碳化硅SiC元器件應(yīng)用技術(shù)[敏感詞]的有CREE、ROHM兩家公司，ST等公司也在快速布局，韓國SLKOR技術(shù)也位居前列。國內(nèi)在材料和元器件方面受制于碳化硅SiC的基材、外延片、元器件加工（晶圓片切割、高壓注能、高溫退火等關(guān)鍵工藝和設(shè)備等）和國外有5-10年的差距。

深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司SLKOR（www.sfee.org）和中電55所、十三所，BYD比亞迪第6事業(yè)部、清華大學(xué)電力研究院等，在聯(lián)合研究相關(guān)技術(shù)的應(yīng)用。目前SiC肖特基、高壓MOS管、SiC模塊、TVS/ESD等產(chǎn)品出來。目前正在先利用韓國薩科微SLKOR的產(chǎn)品強(qiáng)力拓展中國市場，已經(jīng)有了非常好的開局，在我們國內(nèi)替代品完成后，會取而代之。

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