半導(dǎo)體
三極管參數(shù)符號(hào)及其意義
??如果共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=IC/IB =100，集電極電流IC=β*IB=10mA。集電極負(fù)載電阻為500Ω時(shí)，電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的電壓降VCE=5V。如果在基極偏置電路中疊加一個(gè)交流小電流ib，集電極電路中就會(huì)出現(xiàn)相應(yīng)的的交變電流ic，有c/ib=β，從而實(shí)現(xiàn)雙極晶體管的電流放大。
??金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本工作原理是通過半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)在半導(dǎo)體中感應(yīng)出導(dǎo)電溝道。當(dāng)柵極G電壓VG增大時(shí)，P型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流子空穴逐漸減少并耗盡，而電子逐漸積累到反型。當(dāng)表面達(dá)到反型時(shí)，電子積累層將在n+源區(qū)S和n+漏區(qū)D之間形成導(dǎo)電溝道，當(dāng)VDS≠0時(shí)，源漏電極之間有較大的電流 IDS 流過。使半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反轉(zhuǎn)所需的柵源電壓稱為閾值電壓VT。當(dāng)VGS大于VT并取不同值時(shí)，反型層的導(dǎo)電能力會(huì)發(fā)生變化，在同一VDS下會(huì)產(chǎn)生不同的IDS，使得柵源電壓VGS可以控制源漏電流IDS。
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