Yole Development 的市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告表明,自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來(lái),應(yīng)用的需求一直推動(dòng)著結(jié)溫升高,目前已達(dá)到150℃。 隨著第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件(如SiC)出現(xiàn)以及日趨成熟和全面商業(yè)化普及,其獨(dú)特的耐高溫性能正在加速推動(dòng)結(jié)溫從目前的150℃邁向175℃,未來(lái)將進(jìn)軍200℃。 借助于SiC的獨(dú)特高溫特性和低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì),這一結(jié)溫不斷提升的趨勢(shì)將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局。這些典型的、面向未來(lái)的高溫、高功率密度應(yīng)用,包括深度整合的電動(dòng)汽車動(dòng)力總成、多電和全電飛機(jī)乃至電動(dòng)飛機(jī)
射頻前端(RFFE, Radio Frequency Front-End)芯片是實(shí)現(xiàn)手機(jī)及各類移動(dòng)終端通信功能的核心元器件,全球市場(chǎng)超過(guò)百億美金級(jí)別。過(guò)去10年本土手機(jī)的全面崛起,為本土射頻前端產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ);而5G在中國(guó)的率先商用化,以及全球貿(mào)易環(huán)境的變化,又給本土射頻行業(yè)加了兩捆柴火。射頻前端芯片產(chǎn)……