日前，集設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體、芯片及數(shù)字電源產(chǎn)品供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL) 推出采用優(yōu)化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新型1200V碳化硅MOS管（αSiC MOSFET）—AOM0……

【新智元導(dǎo)讀】傳統(tǒng)集成電路設(shè)計(jì)費(fèi)時(shí)又費(fèi)力，能否用人工智能來提高工作效率？在今年的集成固態(tài)電路會(huì)議上，包括Google AI負(fù)責(zé)人Jeff Dean在內(nèi)的四位大佬闡述了AI的應(yīng)用對(duì)處理器、量子計(jì)算、結(jié)構(gòu)創(chuàng)新等的重大影響?！感轮窃逼钢鞴P、編輯、運(yùn)營經(jīng)理、客戶經(jīng)理，添加HR微信（Dr-wly）或掃描文末二維碼了解詳情?！?……

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，性能各方面都要優(yōu)于Si基材料，與傳統(tǒng)基于Si半導(dǎo)體材料的功率器件相比，新興SiC功率器件 具有開關(guān)速度快、阻斷電壓高和耐高溫工作能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，更能滿足未來電力電子技術(shù)的發(fā)展要求。 上海 瞻芯電子 經(jīng)過三年的深度研發(fā)和極力攻關(guān)，成為中國第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝，以及 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片 的公司。本文就瞻芯電子SiC功率器件的可靠性及應(yīng)用進(jìn)行說明，讓用戶在使用前放心、使用中省心，從而做出更好的產(chǎn)品。 1. 上海瞻芯電子的SiC

由下而上，再由上而下——芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中遇到的問題，中國交給發(fā)展產(chǎn)業(yè)去解決。中國正在研究下一個(gè)五年中新一代的芯片技術(shù)的開發(fā)，并有望投資萬億美元以減少對(duì)美國技術(shù)的依賴。 上個(gè)月，國家科技體制改革和創(chuàng)新體系建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組第十八次會(huì)議在北京召開，研究“十四五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃編制工作。會(huì)議還專題討論了面向后摩爾時(shí)代的集成電……

據(jù)報(bào)道，受臺(tái)積電、三星等代工廠積極擴(kuò)產(chǎn)疊加技術(shù)路線演進(jìn)的影響，半導(dǎo)體設(shè)備需求大幅增長。SEMI近日在其全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)（WWSEMS）報(bào)告中宣布，2021年第一季度全球半導(dǎo)體設(shè)備的銷售額同比增長51%，比上一季度增長21%，達(dá)到236億美元。我們認(rèn)為受供需結(jié)構(gòu)向好及行業(yè)景氣度上行的推動(dòng)，產(chǎn)業(yè)鏈公司將持續(xù)受益。 ……

7月2日日媒消息，日本東芝集團(tuán)新任總裁 Hironori Kawagoe 宣布，公司計(jì)劃在2025財(cái)年將其產(chǎn)量提高到2021財(cái)年的近兩倍。 著眼于不斷增長的半導(dǎo)體需求，該公司將增加巖手工廠（北上市）和大分工廠（大分市）的生產(chǎn)設(shè)備。根據(jù)該計(jì)劃，該公司將利用這兩個(gè)地點(diǎn)的制造大樓的空置空間，擴(kuò)大其生產(chǎn)設(shè)備，用于合同生產(chǎn)。 ……

MOS管外形特別像三極管，作為一個(gè)半導(dǎo)體的器件，也是在半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一，作為大功率的半導(dǎo)體領(lǐng)域，這種器件非常的復(fù)雜，并且應(yīng)用非常的廣泛，作為硬件開發(fā)者在電路上設(shè)計(jì)，基本上是用到MOS管是比較多的。 MOS管類似三極管能夠看出這兩個(gè)在偏置情況下注入電流，能夠形成通路，利用電場(chǎng)能夠溝通DS之間，所以在電壓不足的時(shí)候會(huì)形成一個(gè)中心靠近區(qū)域，讓三級(jí)提供的正向電壓P區(qū)勺子并且會(huì)形成一個(gè)反型層，這樣DS之間就打通了，這樣的半導(dǎo)體作為最基礎(chǔ)的器件，可以看出在各種電路中有不可替代的作用，雖然它的結(jié)構(gòu)比較簡

隨著如今電子市場(chǎng)的更迭頻率越來越快，不少剛剛面世的產(chǎn)品在很短的時(shí)間內(nèi)又被替代。在這種大環(huán)境的驅(qū)使下，技術(shù)化的科技完善的速度也在不斷的加快。隨著場(chǎng)效應(yīng)管的出現(xiàn)，這一電子元件在市場(chǎng)中穩(wěn)定的展現(xiàn)了其自身的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，除去動(dòng)態(tài)范圍大等特點(diǎn)，這一電子元件還具有什么技能優(yōu)勢(shì)呢？ 說到 場(chǎng)效應(yīng)管這一電子元件，我們首先想到的無非就……

2005年，II-VI的碳化硅襯底開發(fā)還很緩慢，但是到了2020年，II-VI的半絕緣型SiC襯底營收就超越了Cree。Yole報(bào)告顯示，2020年II-VI的市占率從2019年的27%增至35%，而Cree則從42%降至33%。 今天，就跟大家聊聊，II-VI是如何趕超Cree？II-VI的半絕……