場效應(yīng)管的工作原理 ??場效應(yīng)管是一種場效應(yīng)晶體管。少數(shù)載流子的熱傳導(dǎo)也稱為多極結(jié)晶體管。屬于壓控半超導(dǎo)體零件。具有輸出電阻高(10^8~10^9Ω)、低噪聲、低功耗、靜態(tài)范圍大、易集成、無二次擊穿景象、保險(xiǎn)任務(wù)海域廣等優(yōu)點(diǎn)。雙極結(jié)型晶體管和功率結(jié)型晶體管已經(jīng)成為更強(qiáng)的合作伙伴。 ??場效應(yīng)管特性 ??……

場效應(yīng)管和 MOS管有什么區(qū)別嗎？ ??場效應(yīng)管一般分為MOS場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管。目前主要使用的是MOS場效應(yīng)管，俗稱 MOS管。MOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體的簡稱，即柵-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction，即“結(jié)”，表示PN結(jié)的結(jié)。FET代表Field Effect Transistor，即場效應(yīng)……

貼片 三極管的作用是什么？ ??產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)： ??(1)測量極間電阻。將萬用表置于R×100或R×1K擋，根據(jù)紅黑兩種表筆的六種不同連接方式進(jìn)行測試。其中，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的正向電阻值相對較低，其他四個(gè)接法測得的電阻值都很高，約為幾百千歐至無窮大。然而，無論是低電阻……

為什么 MOS管容易發(fā)熱？ ??在設(shè)計(jì)電源或驅(qū)動電路時(shí)，不可避免地要用到FET，也就是俗稱的MOS晶體管。 MOS管的種類很多，功能也很多。使用電源或驅(qū)動，當(dāng)然是利用它的開關(guān)功能。接下來我們來了解一下MOS管加熱的五大關(guān)鍵技術(shù)。 ??1.芯片加熱 ??本內(nèi)容主要針對內(nèi)置功率調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。如果芯片……

要適當(dāng)?shù)剡x擇拓?fù)?，熟悉不同拓?fù)涞膬?yōu)缺點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域非常重要。 錯(cuò)誤的選擇會讓飲食設(shè)計(jì)從一開始就注定失敗。 開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)大致給可總結(jié)為大概14種，其他的電源開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖無外乎是這14種的組合或變形，下面整理了兩種基礎(chǔ)型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖幫助系統(tǒng)掌握每種電路結(jié)構(gòu)的工作原理與基本特性。 一、Half-Bridge ……

市場上開關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖是多種多樣的，但經(jīng)過總結(jié)整理不難發(fā)現(xiàn)，其實(shí)無非就只有14種，其他的無外乎是這14種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖的組合或變形，接下來給大家分享兩種開關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖。 一、Forward 正激 特點(diǎn)： ■降壓電路的變壓器耦合形式。 ■不連續(xù)的輸入電流，平滑的輸出電流。 ……

MOS管和 三極管的功能差異 ??MOS晶體管和 三極管？的功能區(qū)別是什么這兩個(gè)元件本身可以看作是一個(gè)基本單元和一個(gè)獨(dú)立的器件。即使把外殼拆開，肉眼也看不出有什么區(qū)別，從工作原理上理解起來很混亂。 ??如果你用手同時(shí)觸摸 MOS管的G極(柵極)和正電源極，LED燈就會發(fā)光，即使你松開手，它也會繼續(xù)發(fā)光。至于為什么會出現(xiàn)這種情況，可以簡單理解為當(dāng)G極的電位升高時(shí)，D極(漏極)和S極之間會形成一個(gè)導(dǎo)電通道(源極)，相當(dāng)于一根導(dǎo)線。 ??導(dǎo)通時(shí)D極和S極之間的壓降也可以用萬用表量，計(jì)算，壓降接近

什么是 MOS管？ MOS管的功能和特點(diǎn)又是什么呢? ??MOS場效應(yīng)晶體管通常簡稱為場效應(yīng)管，是一種基于場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。與普通雙極型晶體管相比，F(xiàn)ET具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗低、易于集成等特點(diǎn)，得到了越來越廣泛的應(yīng)用。 ??場效應(yīng)管 ??場效應(yīng)晶體管有很多種，主要分為結(jié)型場……

開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖千變?nèi)f化，但不管如何變化基本是基于基礎(chǔ)型電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖的組合或變形，基礎(chǔ)型開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖歸納起來基本是14種，接下來就個(gè)大家做一下介紹。 二、基本的脈沖寬度調(diào)制波形 這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都與開關(guān)式電路有關(guān)，基本的脈沖寬度調(diào)制波形定義如下： 八、Tw……

2021年，隨著5G、消費(fèi)電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換和新能源汽車需求的增加，基站、換能器和充電站的需求將大幅增加，對氮化鎵和碳化硅饋線的需求將增加。 據(jù) TrendForce集邦咨詢研究顯示，GaN功率元件至2025年市場規(guī)模將達(dá) 13.2億美元，年復(fù)合成長率高達(dá) 94%。 新應(yīng)用下，氮化鎵的“革命”！……

如何正確選擇mosfet 場效應(yīng)管 ??場效應(yīng)晶體管廣泛應(yīng)用于模擬電路和數(shù)字電路，與我們的生活息息相關(guān)。場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)是：第一，驅(qū)動電路相對簡單。場效應(yīng)管所需的驅(qū)動電流比BJT的小得多，通常可以直接由CMOS或開路集電極TTL電路驅(qū)動。場效應(yīng)晶體管的開關(guān)速度相對較快，由于沒有電荷存儲效應(yīng)，可以以更高的速度工作。此外，……

IGBT單管和MOS管有哪些區(qū)別呢？ 怎么區(qū)別IGBT單管和MOS管呢？我們可以從以下三點(diǎn)進(jìn)行分析。 1.結(jié)構(gòu)上，以n型溝道為例，IGBT與MOS管的區(qū)別在于MOS管的襯底為n型，IGBT的襯底為p型。2.原則上， IGBT相當(dāng)于 MOS管和雙極器件的組合。背面P型層的空穴注入降低了器件的導(dǎo)通電阻，但同時(shí)也會引入拖尾電流等問題。 3.從產(chǎn)品來看， IGBT一般用于高壓電源產(chǎn)品，從600伏到幾千伏不等； MOS管的應(yīng)用電壓相對較低，從10伏到1000伏左右。 公司電話