IGBT單管與 IGBT模塊的區(qū)別 ??IGBT模塊可以看作是IGBT單管的功能改進(jìn)和升級(jí)。它們的應(yīng)用領(lǐng)域基本相同。但是，由于集成了各種驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路，IGBT模塊的安裝極大地方便了用戶(hù)。隨著新包裝技術(shù)的采用，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域。 ??IGBT電源模塊由IC、各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術(shù)驅(qū)動(dòng)，從復(fù)合電源模塊PIM發(fā)展到智能電源模塊IPM、電力電子積木PEBB、電源模塊IPEM。PIM正向高壓大電流方向發(fā)展，產(chǎn)品等級(jí)為1200—18

可控硅的基本工作原理及其在調(diào)光器中的應(yīng)用 ??可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩個(gè)晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，而且是無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，把一個(gè)頻率的交流電變成另一個(gè)頻率的交流電等等。 ……

為什么SiC器件不能取代 IGBT？ ??碳化硅(SiC)器件的生產(chǎn)工藝和技術(shù)日趨成熟，目前市場(chǎng)推廣的最大障礙是成本。包括研發(fā)和生產(chǎn)成本，以及應(yīng)用中碳化硅器件替代 IGBT后，整個(gè)電路中驅(qū)動(dòng)電容電阻的成本。除非廠家推，而且真的可以降低成本，提高性能。畢竟，采用新事物會(huì)花費(fèi)很多。由于制造成本和產(chǎn)品良率的影響，目前阻礙S……

常用的 IGBT緩沖電路有哪些？ ??由于電力電子器件具有on、on、關(guān)斷和off四種工作狀態(tài)，因此off和on狀態(tài)分別承受高電壓和大電流，而在on和關(guān)斷，過(guò)程中，開(kāi)關(guān)器件可能同時(shí)承受過(guò)壓和過(guò)流、過(guò)大的di/dt、du/dt和過(guò)大的瞬時(shí)功率。因此，為了防止器件由于高電壓和高電流而損壞，在電路中增加了緩沖電路。關(guān)斷緩沖……

如何用萬(wàn)用表檢測(cè) 可控硅 ?? 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都有三個(gè)電極。單向可控硅整流器具有陰極(K)、陽(yáng)極(A)、控制極(G)。雙向可控硅相當(dāng)于兩個(gè)單可控硅反向并聯(lián)。即一個(gè)單向硅陽(yáng)極與另一個(gè)陰極并排連接，其引出端稱(chēng)為T(mén)2極，一個(gè)單向硅陰極與另一個(gè)陽(yáng)極連接，其引出端稱(chēng)為T(mén)2極，其余為控制電極(G)。 ……

半導(dǎo)體 三極管參數(shù)符號(hào)及其意義 ??如果共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=IC/IB =100，集電極電流IC=β*IB=10mA。集電極負(fù)載電阻為500Ω時(shí)，電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的電壓降VCE=5V。如果在基極偏置電路中疊加一個(gè)交流小電流ib，集電極電路中就會(huì)出現(xiàn)相應(yīng)的的交變電流……

模塊選型注意事項(xiàng)-導(dǎo)通角要求 ??模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流，這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測(cè)出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過(guò)模塊的標(biāo)稱(chēng)值，但有效值會(huì)超過(guò)模塊標(biāo)稱(chēng)值的幾倍。因此，要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作……

可控硅擊穿的三個(gè)主要原因 ??1.過(guò)壓擊穿： ??過(guò)壓擊穿是 可控硅擊穿的主要原因之一?？煽毓鑾缀鯖](méi)有時(shí)間承受過(guò)電壓，即使在幾毫秒內(nèi)，過(guò)電壓也會(huì)被擊穿。因此，在實(shí)際應(yīng)用電路中，可控硅兩端必須連接RC 收回路，以避免各種不規(guī)則干擾脈沖引起的瞬時(shí)過(guò)電壓。如果晶閘管經(jīng)常發(fā)生故障，請(qǐng)檢查收回路的部件是否燒壞或失效。 ……

模塊保護(hù)-過(guò)熱保護(hù) ??散熱狀況是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不僅可以保證模塊的可靠運(yùn)行，防止模塊過(guò)熱燒毀，還可以提高模塊的電流輸出能力。 ??使用中，當(dāng)散熱條件不滿足規(guī)定要求時(shí)，如房間溫超為40 ℃，強(qiáng)制風(fēng)冷出口風(fēng)速小于6m/s等。應(yīng)立即降低模塊的額定電流，否則會(huì)因芯片結(jié)溫超的允許值過(guò)……

相信這一刻，你我都等待了太久，經(jīng)過(guò)數(shù)個(gè)版本的公測(cè)，現(xiàn)終于發(fā)布專(zhuān)業(yè)版客戶(hù)端正式版本！當(dāng)然，它依然是「免費(fèi)」的！ 立創(chuàng)EDA會(huì)將免費(fèi)國(guó)產(chǎn)PCB設(shè)計(jì)工具貫徹到底，立志于為用戶(hù)提供簡(jiǎn)單易用且高效的設(shè)計(jì)工具！ 立創(chuàng)EDA專(zhuān)業(yè)版客戶(hù)端支持三大運(yùn)行模式 ……

模塊保護(hù)-過(guò)壓保護(hù) ??晶閘管的過(guò)電壓能力極差。當(dāng)元件的反向電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，元件也會(huì)被反向擊穿損壞。如果直流電壓超過(guò)晶閘管的正向?qū)妷海瑫?huì)導(dǎo)致晶閘管硬導(dǎo)通，不僅會(huì)使電路工作異常，而且在幾次硬導(dǎo)通后還會(huì)降低元件的正向?qū)妷?，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此，必須采取過(guò)電壓保護(hù)措施來(lái)抑制晶閘管……

恒流恒壓使用晶閘管控制模塊的技術(shù)解決方案 ??(1)關(guān)于模塊首次使用的常見(jiàn)問(wèn)題 ??在使用該模塊之前，可以進(jìn)行簡(jiǎn)單的功能測(cè)試，可以測(cè)試恒流功能或恒壓功能，但選擇恒壓功能測(cè)試更方便。以下是關(guān)于首次使用的常見(jiàn)問(wèn)題，可能對(duì)你有啟發(fā)。 ??調(diào)節(jié)給定信號(hào)時(shí)模塊無(wú)電流或電壓輸出，但給定信號(hào)和施加的12V電源正常。 ……