近年來(lái)，功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模呈穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)IHS Markit數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)至 2021年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至441億美元。具體到中國(guó)，作為全球[敏感詞]的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)2021年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到159億美元。

極具潛力的市場(chǎng)空間，再加上第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用在國(guó)內(nèi)的蓬勃發(fā)展，目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈也正在日趨完善，涌現(xiàn)出不少能提供優(yōu)質(zhì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的企業(yè)。

由芯師爺主辦、深福保集團(tuán)冠名的“2020 硬核中國(guó)芯”評(píng)選活動(dòng)，以表彰國(guó)內(nèi)優(yōu)秀半導(dǎo)體企業(yè)，激勵(lì)國(guó)產(chǎn)企業(yè)加大IC產(chǎn)品與技術(shù)研發(fā)力度。本次評(píng)選中，功率半導(dǎo)體類別共有6家企業(yè)入選參評(píng)“硬核中國(guó)芯——2020年度國(guó)產(chǎn)功率芯片評(píng)選”，本文盤點(diǎn)了入選企業(yè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，為市場(chǎng)提供優(yōu)質(zhì)功率半導(dǎo)體選型。

（注：以下排序僅為介紹產(chǎn)品，不代表評(píng)選名次）

分立式絕緣柵雙極型晶體管SGTQ160U65SDM1PW

所屬企業(yè)：杭州士蘭微電子股份有限公司

SGTQ160U65SDM1PW產(chǎn)品是基于士蘭微電子自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代Trench FS IV+ 工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的分立式絕緣柵雙極型晶體管。具有低導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗，高功率密度、正溫度系數(shù)等特點(diǎn)。主要適用于微型新能源車電機(jī)控制器領(lǐng)域。

? 導(dǎo)通壓降：1.6V(典型值)@IC=160A

? [敏感詞]結(jié)溫：Tjmax=175℃

? 額定電壓：650V

? 短路能力：>6uS@25℃

? 二極管導(dǎo)通壓降：1.45V

價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力：

士蘭微電子SGTQ160U65SDM1PW產(chǎn)品的對(duì)標(biāo)國(guó)際[敏感詞]，總體性能表現(xiàn)略優(yōu)于競(jìng)品，價(jià)格低于競(jìng)品，有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，目前已經(jīng)在國(guó)內(nèi)多家整機(jī)廠通過(guò)初步測(cè)試，正處于產(chǎn)品推廣階段。

技術(shù)創(chuàng)新：

SGTQ160U65SDM1PW產(chǎn)品采用了士蘭自主開(kāi)發(fā)的Trench FS IV+ 工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)制作IGBT器件，優(yōu)化了IGBT的器件晶胞結(jié)構(gòu)，調(diào)整器件發(fā)射區(qū)元胞間距尺寸，進(jìn)而提升了IGBT器件在導(dǎo)通時(shí)柵極下方PIN二極管區(qū)域的少數(shù)載流子的濃度，降低器件飽和壓降，同時(shí)降低了芯片厚度，進(jìn)一步優(yōu)化了飽和壓降和關(guān)斷損耗，實(shí)現(xiàn)了Eoff與Vcesat的折中優(yōu)化。

客戶服務(wù)：

隨著新能源汽車的推廣，電機(jī)控制器廠家的技術(shù)實(shí)力提高，控制器領(lǐng)域客戶逐漸掌握分立器件并聯(lián)的技術(shù)方案。SGTQ160U65SDM1PW產(chǎn)品方案相對(duì)原有的IGBT模塊，具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，將可能成為小微車型的主流方案，目前已成功應(yīng)用于電動(dòng)轎跑EV項(xiàng)目，客戶使用穩(wěn)定，形成了良好的口碑,并為多家客戶群體服務(wù)。

1700V3000m?SiC MOS

所屬企業(yè)：派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司

1700V3000mΩ SiC MOS 針對(duì)高壓輔助電源應(yīng)用而開(kāi)發(fā)，具有較高的耐壓，極低的柵極電荷，較小的導(dǎo)通電阻Rds(on), 使得其適用與工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，光伏和儲(chǔ)能逆變器，UPS輔助電源設(shè)計(jì)。                            

價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力：SiC MOS由于具有更小的開(kāi)關(guān)損耗，這可使客戶可以直接將裝置通過(guò)散熱片安裝在PCB上，這極大減少了制造成本，提高了系統(tǒng)的可靠性。

技術(shù)創(chuàng)新： 與使用Si器件相比，采用1700V SiC MOS 由于可以耐更高的電壓，更小的Rds(on),可以采用1個(gè) SiC MOS構(gòu)成更為簡(jiǎn)單的反激電路實(shí)現(xiàn)，從而大幅減小了元器件數(shù)量，設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)更容易，縮短開(kāi)發(fā)周期，因此可以用于200V 至1000V輸入的反激式拓?fù)渲?。SiC MOS由于具有更小的開(kāi)關(guān)損耗，更小的損耗同時(shí)意味著可以工作在更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而減小電源體積和重量，有助于工業(yè)設(shè)備實(shí)現(xiàn)顯著小型化、高可靠性和節(jié)能化，達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。

客戶服務(wù)： 強(qiáng)大研發(fā)能力，支持定制化設(shè)計(jì)。國(guó)內(nèi)本地化團(tuán)隊(duì)，響應(yīng)時(shí)間短。               

市場(chǎng)銷量：  本季度計(jì)劃取得100萬(wàn)產(chǎn)品訂單，明年訂單突破千萬(wàn)。 

G51XT 650V1A SOD123

所屬企業(yè)：泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司

G51XT 650V1A SOD123 碳化硅肖特基二極管在開(kāi)關(guān)電源電路中的應(yīng)用，能更好地讓電路工作在高頻狀態(tài)，減小電路中電感等元件體積重量，而由于碳化硅肖特基二極管優(yōu)良的耐溫性能和低損耗特性，讓電路中熱沉的體積重量得到改善，便于優(yōu)化電路的熱設(shè)計(jì)，與此同時(shí)，應(yīng)用了SOD123封裝形式的該款器件，為功率二極管小型化提出了解決方案，更好的貼合對(duì)器件小型化和產(chǎn)品功率密度改善有要求的客戶需求。

價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力：作為一家國(guó)產(chǎn)品牌，我們的價(jià)格相較于國(guó)外競(jìng)品品牌極具競(jìng)爭(zhēng)力，且在該款器件上，我們是[敏感詞]家市場(chǎng)化的公司，而相較于硅的快恢復(fù)二極管器件，碳化硅二極管的應(yīng)用會(huì)帶來(lái)系統(tǒng)層面成本的改善。

技術(shù)創(chuàng)新：使用SOD123這種封裝形式做sic 器件為全球首創(chuàng)，為了成功實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，我們優(yōu)化了器件設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝。

客戶服務(wù)：作為一家國(guó)產(chǎn)品牌，我們作為原廠給予客戶的技術(shù)和信息支持更加直接和迅速，我們相較于國(guó)外競(jìng)品品牌也有一半甚至更短的交期。

市場(chǎng)銷量：該款型號(hào)剛進(jìn)入市場(chǎng)，但參考我們公司的同列產(chǎn)品其他型號(hào)，我們已實(shí)現(xiàn)貨kk級(jí)供貨，在不同類型客戶中，均有良好的市場(chǎng)占有率和口碑反饋率。 

1200V 碳化硅MOSFET

所屬企業(yè)：瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司

瑞能1200V 碳化硅MOSFET 采用緊湊的元胞設(shè)計(jì)、出色MOS溝道氮化工藝和超薄的襯底厚度使得產(chǎn)品具有業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品中較低的比導(dǎo)通電阻，產(chǎn)品同時(shí)具有較穩(wěn)定的閾值電壓，高溫高頻下仍然可以安全的開(kāi)通和關(guān)斷，瑞能碳化硅MOSFET在性能優(yōu)異的基礎(chǔ)上同時(shí)具備高可靠性。

價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力：受益于極低的比導(dǎo)通電阻，單片晶圓上產(chǎn)出更多的有效芯片數(shù)目，同時(shí)采用多項(xiàng)增強(qiáng)器件魯棒性的芯片設(shè)計(jì)，顯著提升了產(chǎn)品良率。

技術(shù)創(chuàng)新：采用瑞能專利的離子注入工藝設(shè)計(jì)，使得以業(yè)內(nèi)難題著稱的碳化硅MOSFET薄弱的柵極氧化層區(qū)得到了有效保護(hù)，產(chǎn)品柵極氧化層在長(zhǎng)期[敏感詞]應(yīng)力下仍表現(xiàn)出出色的魯棒性。

客戶服務(wù)：瑞能半導(dǎo)體作為已成立五十多年的功率芯片廠商，長(zhǎng)期以優(yōu)異的表現(xiàn)服務(wù)于國(guó)內(nèi)外的消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)客戶，得到了大中小客戶的長(zhǎng)期好評(píng)。

市場(chǎng)銷量：碳化硅MOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件中的明星產(chǎn)品，隨著碳化硅晶圓材料和工藝技術(shù)的日趨成熟，在電動(dòng)汽車、工業(yè)電源等市場(chǎng)前景巨大。而多年來(lái)，瑞能碳化硅二極管產(chǎn)品銷量在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)一直名列前茅，擁有廣泛而堅(jiān)實(shí)的寬禁帶器件用戶基礎(chǔ)。

SL13N50F

所屬企業(yè)：深圳市薩科微slkor科技有限公司

薩科微自主研發(fā)生產(chǎn)的SL13N50F內(nèi)阻小、發(fā)熱量低、性價(jià)比高。有更優(yōu)的性能及抗雪崩能力。廣泛應(yīng)用于戶外照明、戶外顯示屏電源等行業(yè)。該器件大大提高了戶外照明的工作效率、降低了產(chǎn)品成本。

高PF無(wú)頻閃驅(qū)動(dòng)ICRSC6105S

所屬企業(yè)：廣東瑞森半導(dǎo)體科技有限公司

高PF無(wú)頻閃驅(qū)動(dòng)ICRSC6105S 是瑞森半導(dǎo)體自主創(chuàng)新線路產(chǎn)品，單級(jí)實(shí)現(xiàn)高PF無(wú)頻閃的LLC方案, PF可達(dá)0.99，頻閃指標(biāo)<1，方案滿足國(guó)家教育照明的指標(biāo)。該芯片可以直接驅(qū)動(dòng)上下橋臂MOS，一致性好，產(chǎn)線直通率優(yōu)秀，達(dá)到99%直通率;有效降低了元器件個(gè)數(shù)，提升了產(chǎn)品可靠性與性價(jià)比。

瑞森半導(dǎo)體配有資深的FAE工程師為客戶提供專業(yè)的技術(shù)服務(wù)與指導(dǎo)，可以為客戶提供定制方案的服務(wù)。

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